肖特基二极管的势垒高度及其半导体杂质浓度的测试分析 - 电子科技大学.PDFVIP

实验 8 肖特基二极管的势垒高度 及其半导体杂质浓度的测试分析 学习目标 1．掌握正向电流- 电压法和电容- 电压法测试肖特基二极管的势垒高度的二种 方法 2 ．确定势垒高度 3 ．确定半导体的杂质浓度 建议学时：4 学时 原理 肖特基二极管的势垒高度通常取决于金属的功函数和表面态。通常假设；  金属-半导体紧密接触，其交界层具有原子的线度，而且会建立电势。  在交界面上的表面态是半导体表面的性质，与金属无关。 1. 正向电流- 电压法 中等掺杂半导体的肖特基二极管的理想正反向电流- 电压特性为     J J ST exp qV 1  （1）  k T  0     其中，反向电流密度为 * 2 qns （2 ） J ST A T exp( ) k T 0 金属一边的势垒高度 q q q （3 ） ns ns0 ns 则 （2-45 ）式写成      * 2 q q  V  ns0   ns  （4 ） J A T exp  exp  k T   k T   0   0  * 2 * 4qm k A n 0  其中， 3 为有效理查逊常数。 B 是外电压的函数。当 V3kT/q 时，式（4 ） h 就近似为   J J ST exp qV  （5 ） k T 0  