Si衬底AlGaN／GaN功率开关场效应晶体管研制.pdfVIP

第46卷第 12期 电力电子技术 Vo1．46，No．12 2012年 12月 PowerElectronics December2012 Si衬底AIGaN／GaN功率开关场效应晶体管研制 姚 尧，贺致远，李佳林，刘 扬 (中山大学，物理科学与工程技术学院，广东 广州 510275) 摘要 ：研究了Si衬底A1GaN／GaN异质结构场效应晶体管 (HFETs)器件尺寸参数，包括源 (漏)极长度、栅宽及欧 姆接触 电极厚度等对器件性 能的影 响。基于此 ，在 国内率先实现 2英寸 si衬底上栅宽为 40mm的原型 A1GaN／GaNHFETs，其输出电流约为20A，导通 电阻为0．4Q(比导通电阻 8．29mfI·em)。 关键词 ：场效应晶体管；功率开关；栅 宽；欧姆接触 电极厚度 中图分类号：TN32 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(2012)12—0087—03 Fabrication ofAlGaN／GaN PowerSwitchingFieldEffect Transistorson SiSubstrate YAOYao，HEZhi-yuan，LIJia-lin，LIUYang (SunYats·enUniversity，Guangzhou510275，China) Abstract：The influencesofdevice dimensionsofA1GaN／GaN heterostrueutre field effecttransistoson device perfor— mancesarediscussed．Thesedevicedimensionsincludesource(drain)length，gatewidth(Wc)andthicknessofOhmic electrodes．Basedon these，anA1GaN／GaN heterostructurepowerswitchingfield effecttransistoron 2inch Sisubstrate withWGof40mm isfabricatedsuccessfully．Theonresistanceis0．4Q(specificonresistanceis8．29mll·em)， andhteoutputcurrentisnearly20A． Keywords：field effecttransistors；powerswitching；gatewidth；thicknessofOhmicelectrodes FoundationProject：SuppoaedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina(No．511777175)；Ph．D．Programs FoundationofMinistryofEducationofChina(No．20110171110021) 1 引 言 而增大器件栅宽．则势必会增加源极和漏极金属 条上的寄生电阻l4J，严重影响器件的导通特性。通 电力电子技术在其发展的前二三十年 中。主 过研究 A1GaN／GaNHFETs的器件尺寸参数对器 要应用于工业和电力系统。近年来，由于4C产业 件性能的影响，减小了器件寄生电阻，提高了宽栅 的迅速发展．电力电子技术覆盖面已迅速扩大 。延 结构器件性能．在 2英寸 si衬底上成功制作 了栅 伸到国家科技发展的各个重要方面 ”【。功率