Sn1-xBixO2纳米粉体的制备及其表征.pdfVIP

电工材料 2012 No．3 中乾宏等：SnBLO ：纳米粉体 的制备及其表征 3 SnB O2纳米粉体的制备及其表征 申乾宏 ，乔秀清 ，穆成法 ，陈乐生 ，樊先平 ，杨 辉 (1．浙江大学 材料科学与_T程学系，杭州 310027；2．温州宏丰电工合金股份有限公司， 浙江温州 325603；3．浙江大学 浙江加州国际纳米技术研究院，杭州 310029) 摘要：以SnCh·5HO和BiCI为原料，采用化学共沉淀法制备了不同Bi掺杂量的SnO：纳米粉体，利用热 重-差热(TG—DTA)、X射线衍射(XRD)~I扫描电子显微镜(sEM)对制备的粉体进行了表征。结果表明， 当Bi掺杂量低于30％H~，SnO：纳米粉体的晶体结构保持为金红石四方相结构，Bi原子部分置换了sn的 位置；当掺杂量为3o％H,t，开始形成杂质相BiOCI。掺杂Bi元素可细化SnO：纳米晶粒 ，经700℃焙烧 后 ，未掺杂Bi元素的SnO：晶粒尺寸约为29nm，而掺杂Bi元素的SnO：晶粒尺寸约为 10nm。此外，Bi 元素的掺杂还可在一定程度上提高SnO：粉体的密度。 关键词：SnO：；Bi掺杂；纳米粉体；晶粒尺寸；密度；电接触材料 中图分类号：TM205．*1 文献标志码：A 文章编号：1671．8887(2012)03．0003．05 Synthesisand Characterizati0n ofSn,BixO~Nano—powder SHEN Qian-hong ‘，QIAO Xiu-qing。，MU Cheng—fa， CHEN Le-sheng。，FAN Xian-ping’，YANG Hui， (，．DepartmentofMaterialsScienceandEngineering,ZhejiangUniversity, Hangzhou310027,China；2．WenzhouHongfengElectricalAlloyCo．，Ltd．，ZhejiangWenzhou 325603,China；3．Zhejiang-CaliforniaInternationalNanoSystemsInstitute, Zh~iangUniversity,Hangzhou310029,China) Abstract：Nano-crystallineoftin oxide doped with varying mo1％ ofBi“wasprepared using chemi- calcoprecipitation method and characterized by various techniques such as thermogravimetry and differentialthermalanalysis(TG—DTA)，X-raydiffraction (XRD)andscanningelectronmicroscopy (SEM)．Resultsshow thatthenano．crystallineSnO2maintainsrutilestructurewhenBidopingcon— centration islessthan 30％ and the Biatom-occupiesthesitesofSn．When the doping concentra。 tion is30％，impurity phase BiOCIbeginsto appear．Compared with theundoped Sn02，doping Bi element can decrease the crystalsize ofSnO2．The crystalsize ofpure nano—crystalline is about