一种带栅极碳纳米管阴极阵列的场发射性能研究.pdfVIP

真 空 科 学 与 技 术 学 报 第34卷 第4期 346 Cm删 J0URNAIOFVACUUM sCIENCEAND，I1a o10GIY 2014年4月 一 种带栅极碳纳米管阴极阵列的场发射性能研究 雷 达 孟根其其格 陈雷 (1．内蒙古大学鄂尔多斯学院 鄂尔多斯 017000；2．杭州电子科技大学材料与环境工程学院 杭州 310018) SimulationofFieldEmissionCharacteristicsof GatedCarbonNanotubesArray LeiDa1 ，MenggenQiqige，Chenk l (1．OrdosCollegeofInnerMongoliaUniversity，Ordos017000，Ch／na； 2．CollegeofMaterialsandEnvironmental ，nang~uDianziUniversity，no~．hou310018，Chn／a) Abstract Thefieldemissionofthegatedcarbonnanotubes(CNTs)arraywasmodeledwihthteimagechargeof floatedspheresinhtetriodeconfiguration，andanalyticallycalculatedbyevaluatinghtepotentialdistributionandrealistic electricfieldathtehemispherical endsofCNTs，whichWere assumde tostandverticallyonthecahtodewiht anapproxi— matde contactresistance．Theinfluenceof hteconatctresistanceonhtefieldemissioncurrentnadelcetricfieldathte CNTapexWas investigatde wiht F-N formula．Thecalculatde resultsshow thathtecontactresistancesignificnatlyreduce8 hteemissioncurrentofhtegatedCNTsarraynadhterealisticfieldathteCNTapex．A contactresistancehigherhtan1 MI2reduceshteemissioncurrentalmosttozero．Wesuggesthtatanoptimizde “gate-hole”distancemayimprovehtefield emissionpropertiesofhtegatedCNTs’army．Thecalculatedresultsma ybeofsometcehnological interest． Keywords Fieldemission，Imagecharge，Gatde carbonnanotubes，Flaotde sphere，Contactresistance 摘要 研究碳纳米管与衬底之间的电学接触和器件结构尺寸的优化设计是提高碳纳米管冷阴极器件场发射特性的关键 之一。本文利用镜像电荷法计算了一种背栅极碳纳米管阴极阵列的表面电场，给出碳纳米管顶端表面电场与接触电阻的关 系，分析了接触电阻与栅极偏压对场发射电流、发射体顶端表面电场的影响。另外，还探究了最佳栅孔单元分布密度。结果 表明，接触电阻大幅度降低了碳纳米管顶端表面电场与发射 电流，当接触电阻高于 1MI2时，器件对阳极驱动 电压的要求更 高，而栅极偏压的调制，能够有效地降低阳极驱动电压，最佳栅孔单元分布距离为约两倍的碳纳米管高度。 关键词 场发射 镜像 电荷 带栅极碳纳米管 悬浮球 接触 电阻 中图分类号：0462．4 文献标识码：A doi