一种平行栅碳纳米管阵列阴极的场发射特性研究.pdfVIP

物 理 学 报 AetaPhys．Sin．Vo1．62，No．24(2013)248502 一 种平行栅碳纳米管阵列阴极的场发射特性研究冰 雷达干孟根其其格 张荷亮 智颖飙 (内蒙古大学鄂尔多斯学院，鄂尔多斯 017000) (2013年7月4日收到；2013年9月26日收到修改稿) 建立一种平行栅碳纳米管阵列阴极，利用悬浮球模型和镜像电荷法进行计算，给出碳纳米管顶端表面电场与电 场增强因子的解析式．在此基础上。进一步分析器件各类参数以及接触电阻对阴极电子发射性能的影响．分析表明， 碳纳米管间距大约为2倍碳纳米管高度时阵列阴极的分布密度最佳，靠边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中 心部位的大；除碳纳米管的长径比之外，栅极宽度和栅极间距也对电场增强因子有一定作用；接触电阻的存在大幅 度降低碳纳米管项端表面电场与发射电流，而接触电阻高于800kQ时，器件对阳极驱动电压的要求更高． 关键词：平行栅碳纳米管阵列，悬浮球，场增强因子，接触电阻 lACS：85．45．Bz，81．07．De，85．45．Db DoI：10．7498／aps．62．248502 模拟分析的较有效方法之一 [13,14]，而在器件性能 1引 言 的优化设计和实际制各工艺中还需要更多理论模 型、速算方法以及分析结果的指导．目前在不计 冷阴极是场发射器件的核心，由于碳纳米管具 发射体与阴极平板之间的接触 电阻情况下的关于 有独特的准一维结构和优异的物理化学性质，成为 圆栅孔单根纳米线 (或碳纳米管)的计算报道 [15,16】 真空微纳 电子领域的研究热点之一 l【一．碳纳米管 较多，但是，多数碳纳米管冷阴极器件都 以碳纳 具有非常大的长径 比，且在较低 的电压下能获得 巨 米管阵列为阴极，而且栅孔形状也多种多样，除了 大的表面电场，使电子能够通过隧道效应逸 出表面， 碳纳米管长径比之外，碳纳米管阵列密度、栅极 而形成较大的发射电流密度，因此有望在场发射平 尺寸等器件结构参数也较大地影响着阴极场发射 板显示器件、纳米传感器件、真空微波器件、高 特性 [17—20_，并且碳纳米管与阴极基板之间还存在 亮度光源等电子器件中具有潜在的应用 3[-7】．近几 着接触 电阻，这些对阴极电子发射都具有一定的影 年，随着碳纳米管场发射阴极制备工艺的提高，人 响． 们通过 电泳镀银或镀其他金属颗粒的方法获得 了 本文基于实际器件结构建立一种平行栅碳纳 金属化碳纳米管阴极 8【，91． 米管阵列阴极模型，利用悬浮球模型和镜像电荷法 带栅极结构的碳纳米管冷阴极器件，能够通过 对碳纳米管尖端附近电场进行计算，并给出碳纳米 栅极偏压的调制实现低阳极驱动电压与高发射 电 管顶端表面 电场与场增强因子的解析式．在此基 流的目标 [1O一12]，尤其背栅极和平栅极碳纳米管冷 础上，分析碳纳米管发射体 自身尺寸、栅极宽度、 阴极的制备工艺较简单，容易实现大面积，因此在 栅极间距、碳纳米管的分布位置 以及邻近发射体 场发射冷阴极器件研究中具有重要意义．不过，由 之间的距离等几何参数对碳纳米管顶端表面电场 于器件 自身结构的复杂性，其发射体附近的电场及 与电场增强因子的作用，从而获得最佳碳纳米管分 发射 电流等与场发射有关的重要物理量不易计算． 布密度．另外，结合Fowler-Nordheim (F—N)理论公 有限元法或数值计算法是对器件场发射性能进行