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基于低电压二次节的甚高频电流模式低通滤波器的设计
第31卷 第11期 西 安 交 通 大 学 学 报 Vol. 31№ 11
1997年11月 JOURNAL OF XI’ AN JIAOTONG UNIV ERSITY Nov. 1997
*
赵录怀 邱关源
( ,710049, )
提出了一个平衡结构二阶电流 式低通滤波器.该滤波器除输入端、输出端、
直流电压偏置节点和接地电容连接节点外,再没有其它节点,电路寄生参数的影响被
显著减小,它适合于甚高频滤波.给出了计及晶体管二级效应时的输出电流表达式,
用非线性传递函数理论分析了非线性失真,并研究了噪声问题.理论分析表明,给出
的滤波电路符合低电压趋势和甚高频滤波要求,具有比较小的谐波失真.在 2μ 工
艺条件下,用 PSpice5. 0对一个15 M Hz截止频率的滤波器进行仿真,计算结果与理
论相一致.
全集成滤波器 电流 式 低电压 甚高频
TN713
,
,.,
,
[1~ 4]
.
,,、、3 V
[5]
, .
,,.
,.,,3 V
.
: 1996-12-20. :, 19634,,.
* .
106 31
1
,1.,
,,,
.
2, C1 M1, C2、M2 M2A.
, MOSFET,
1 2, 1,
C C MOSTET M
2、 2 2A,
C M M
.
1 2
2,,3.
M2A M2B( W /L ) M2 K A K B , M1 M2 g 1
g 2 ,
Iout+ - Iout- kA kB
H = = 2 ( 1)
Iin+ - Iin- s + skA + (K A - K B) kA kB
Iout+ - Iout- kA kB
H′= = 2 (2)
Iin+ - Iin- s + s kA+ (K A + K B) kA kB
: kA= g 1 /C1; kB= g 2 /C2 .,.
, MOSFET,
1T 1 gs1 I1
C = C + C + C (3a)
C2T = C2 + Cgd1+ Cgs2 + Cgs2A+ Cgs2B + CI3 (3b)
g 1 = g 1+ gI1+ gd2A + gd2B (3c)
gs gd I I
,C 、C g MOSFET、, C g
.
2
H (s
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