基于低电压二次节的甚高频电流模式低通滤波器的设计.pdfVIP

基于低电压二次节的甚高频电流模式低通滤波器的设计.pdf

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基于低电压二次节的甚高频电流模式低通滤波器的设计

第31卷 第11期     西 安 交 通 大 学 学 报 Vol. 31№ 11  1997年11月 JOURNAL OF XI’ AN JIAOTONG UNIV ERSITY  Nov. 1997 * 赵录怀 邱关源 ( ,710049, )  提出了一个平衡结构二阶电流 式低通滤波器.该滤波器除输入端、输出端、 直流电压偏置节点和接地电容连接节点外,再没有其它节点,电路寄生参数的影响被 显著减小,它适合于甚高频滤波.给出了计及晶体管二级效应时的输出电流表达式, 用非线性传递函数理论分析了非线性失真,并研究了噪声问题.理论分析表明,给出 的滤波电路符合低电压趋势和甚高频滤波要求,具有比较小的谐波失真.在 2μ 工 艺条件下,用 PSpice5. 0对一个15 M Hz截止频率的滤波器进行仿真,计算结果与理 论相一致.  全集成滤波器 电流 式 低电压 甚高频  TN713 , ,., , [1~ 4] . ,,、、3 V [5] , . ,,. ,.,,3 V . : 1996-12-20. :, 19634,,.  * . 106 31 1  ,1., ,,, . 2, C1 M1, C2、M2 M2A. , MOSFET, 1 2, 1, C C MOSTET M 2、 2 2A, C M M . 1  2    2,,3. M2A M2B( W /L ) M2 K A K B , M1 M2 g 1 g 2 , Iout+ - Iout- kA kB H = = 2 ( 1) Iin+ - Iin- s + skA + (K A - K B) kA kB Iout+ - Iout- kA kB H′= = 2 (2) Iin+ - Iin- s + s kA+ (K A + K B) kA kB : kA= g 1 /C1; kB= g 2 /C2 .,. , MOSFET, 1T 1 gs1 I1 C = C + C + C (3a) C2T = C2 + Cgd1+ Cgs2 + Cgs2A+ Cgs2B + CI3 (3b) g 1 = g 1+ gI1+ gd2A + gd2B (3c) gs gd I I ,C 、C g MOSFET、, C g . 2   H (s

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