由MOS结构对线性电压扫描的瞬态响应测定产生寿命和表面产生速度.pdfVIP

。 , 第 卷 第 期 半 导 体 学 报 卫 , 年 月 由 结构对线性电压扫描的瞬态响应 测定产生 命和表面产生速度 张 明 秀森 包宗 苏九令 复旦大学物理系 年 月 日收到 提 要 本文指出由 结构栅电流和 频 电容对线性 电压扫描的瞬态 应 可 同时测定产生, 高 响 命和 面产生速度 对 些样品进行了测 , 与饱和 电容 和 法作了比 表 一 试 并 法 较 泛 心旨 一、 了 曰 近十年 , 研究过 结构对线性 电压 的 应 利用饱 来 许多作者 扫描 瞬态响 尸 山 和 电容随电压扫描率的变化确定硅中少子的产生 命 等 利用 电流和 电容对线 性 电压扫 的响应 忽 表, 生速 , 测定产生 包宗明 即使得 由饱和 电 法能 描 略 面产 度 命 等 容 同时确定产生 和表面产生速 , 把它推广到电容非饱和的 况 命 度 并 情 器称 饱和 电 法的缺点是不 测 , 命样品的高频瞬 电容 过 容 适于 定长 命 长 态 要经 很长时 间和在 的电压 才 和 这 测量既 时间又得不到低 下的热产生, 很高 下 饱 使 费