拉曼光谱检定规程.docVIP

拉曼光谱仪（Renishaw inVia）检定规程 光谱稳定性与重复性repeatability， （重复性是考验仪器的最重要指标之一, 此检测条件与仪器设计无关） 重复性：光栅动。 每次检测，光栅从0波数到最大波数移动，再回到检测位置（0波数）。使用表面抛光的单晶硅，扫描范围：100 ~ 4500 cm-1，（不能采用光栅先回到 -4000cm-1，再定位到0波数扫描的方式），重复不少于30次。观测硅一阶峰中心位置重复性好于 = ± ？cm-1 。 稳定性：光栅不动，（此试验较为容易），使用表面抛光的单晶硅，扫描范围：100 ~ 1000，重复不少于30次，观测硅一阶峰中心位置重复性好于 = ± ？cm-1 。 仪器灵敏度：Sensitivity : 一般性实验条件： 检测硅三阶峰，（信噪比越高越好） 检测条件为：激光输出功率约为20mw，波长514nm 或532nm ， 狭缝宽度50微米, 曝光时间60秒，累加次数5次，（或曝光时间100秒，累加次数3次，） 光栅刻线为大于等于1800刻线。binning = 1，显微镜头为 X50 或 X100。 高分辨或共焦实验条件： 检测硅三阶峰（信噪比越高越好） 检测条件为：激光输出功率约为20mw，波长514nm 或532nm， 狭缝宽度 ( Renishaw = 20微米)； 曝光时间60秒，累加次数5次，（或曝光时间100秒，累加次数3次，） 光栅为大于等于1800刻线。binning = 1，显微镜头为 X50 或 X100。 空间分辨率： Spatial resolution 横向 XY，样品为硅片锐利边缘。 纵向Z，样品为硅片。 检验标准：使用表面抛光的单晶硅做样品，×物镜，垂直硅片断裂边做线Mapping，Mapping步长0.2um，记录硅520拉曼信号强度在扫描经过硅片边界过程的变化曲线，强度从最弱到最强变化经过的空间距离的一半为横向空间分辨率； 对硅片表面进行深度序列扫描，扫描范围从表面以上10um到便面以下10um，步长为1um，记录硅520拉曼信号的强度变化，强度变化曲线的半高全宽（FWHM）为纵向空间分辨率。 阻挡激光水平： Laser blocking : （514nm, or 532nm, and 633nm, 785nm） 使用表面抛光的单晶硅做样品，同时观测激光线(以上各个波长)和硅一阶峰(520cm-1，该峰拉曼强度 13,000 光子计数 / 秒)，检测 激光线强度与硅一阶峰强度的比值. 使用X50或X100倍物镜，狭缝大小为通常拉曼试验设置水平。 （狭缝 = 100um; 针孔 = 200um） 光谱分辨率：Resolution 样品为氖灯585nm线 线半高宽 一般检测条件为：狭缝宽度 30微米； 曝光时间1秒，= 1800刻线光栅。binning = 1，显微镜头为 X50 或 X100。 使用灵敏度条件测分辨率: 测氖灯585nm线 线半高宽 = ？ cm-1 Renishaw : Slit = 20um, 光栅 = 1800 l/mm（或2400 l/mm）, （Horiba: Slit = 100um, 光栅 = 600 l/mm, ？？） 去除等离子线：Plasma line blocking: 在100 ~ 4000 cm-1内无等离子线。实验条件：10mW（必要时由功率计测量）激光功率照在抛光的单晶硅表面，曝光时间60秒，累加次数3次， X50或X100倍物镜。