晶体的生长理.pptVIP

晶体的生长机制;一、概述;二、晶体生长的基本过程;“基元” 过程的主要步骤：;三、晶体的生长机理;成核控制机理 在晶体生长过程中 ,成核控制远不如扩散控制那么常见。但对于很小的晶体 ,可能不存在位错或其它缺陷 ,生长是由分子或离子一层一层地沉积而得以实施 ,各层均由离子、分子或低聚合度的基团沉积所成的 “排” 所组成 ,因此 ,对于成核控制的晶体生长 ,成核速率可看作是晶体生长速率。当晶体的某一层长到足够大且达到一定边界时 ,由于来自溶液中的离子在完整表面上不能找到有效吸附点而使晶体的生长停止 ,单个表面晶核和溶液之间达成不稳定状态。;位错控制机理 当溶液的饱和比小于 2 时 ,表面成核速率极低 ,如果每个表面晶核只能形成一个分子层 ,则晶体生长的实际速率只能是零。事实上 ,很多实验表明 ,即使在 S = 1101 的低饱和比条件下 ,晶体都能很容易地进行生长 ,这不可能用表面成核机理来解释。1949 年 Frank[3 ]指出 ,在这种情况下晶体的生长是由于表面绕着一个螺旋位错进行的缠绕生长,螺旋生长的势能可能要比表面成核生长的势能大 ,但是 ,表面成核一旦达到层的边界就会失去活性 ,而螺旋位错生长却可生长出成百万的层。由于层错过程中 ,原子面位移距离不同 ,可产生不同类型的台阶(如图 1) 。台阶的高度小于面间距 ,被称为亚台阶;高度等于面间距的台阶则称为全台阶。这两类台阶都能成为晶体生长中永不消失的台阶源。;综合控制机理 晶体生长事实上是极为复杂的过程 ,特别是自溶液中的生长 ,一般情况下 ,控制晶体生长的机理都不止一种 ,而是由单核层机理、 多核层机理和扩散控制生长机理的综合作用 ,控制着晶体的生长。;四、晶体的生长模型;1．层生长理论模型（科赛尔-斯兰特斯基理论理论模型）; 因此，最佳生长位置是三面凹角位，其次是两面凹角位，最不容易生长的位置是平坦面。 这样，最理想的晶体生长方式就是:先在三面凹角上生长成一行，以至于三面凹角消失，再在两面凹角处生长一个质点，以形成三面凹角，再生长一行，重复下去。但是，实际晶体生长不可能达到这么理想的情况，也可能一层还没有完全长满，另一层又开始生长了，这叫阶梯状生长，后可在晶面上留下生长层纹或生长阶梯。 阶梯状生长是属于层生长理论范畴的。 总之，层生长理论的中心思想是：晶体生长过程是晶面层层外推的过程。 ; 但是，层生长理论有一个缺陷：当将这一界面上的所有最佳生长位置都生长完后，如果晶体还要继续生长，就必须在这一平坦面上先生长一个质点，由此来提供最佳生长位置。这个先生长在平坦面上的质点就相当于一个二维核，形成这个二维核需要较大的过饱和度，但许多晶体在过饱和度很低的条件下也能生长，为了解决这一理论模型与实验的差异，弗兰克(Frank)于1949年提出了螺旋位错生长机制。 ;2．螺旋生长理论模型（BCF理论模型） ;康远辞迄锤保勉簧争屡垦晚耐宴虚毋舔冀剔接伎汉岩厩茅饥记柴陋梯祈盗晶体的生长机理晶体的生长机理;3、安舍列斯理论;五、晶体生长与界面相的关系;2、界面层与晶体生长 晶体生长的过程可分为两个步骤:即原子、离子或分子集团(即生长基元)从过饱和溶液中形成和输运到晶体生长界面的过程以及这些生长基元在晶体界面上叠合的过程。晶体生长实际上是晶体表面向外扩展的过程:是晶体相 - 环境相(蒸汽、 溶液、 熔体)界面向环境相中不断推移的过程 ,也就是包含组成晶体单元的母相由低秩序相向高度有序晶相的转变图。这是一个具有界面反应的结晶化学过程:是外延生长的过程。从另一方面上说 ,晶体生长过程是晶体的体积增大过程 ,晶体的体积增大与晶体的晶面生长是分不开的 ,晶面的生长与晶面上键链的延伸有关 ,而键链的延伸与晶面上各生长扭结点的特性是分不开的。也就是说 ,晶体生长是与晶体的表面性质息息相关。;　 3、界面相与晶体生长 晶体生长的过程又是相与相之间的相互作用过程。尤其是环境相的变化对晶体生长影响很大。同样 , 界面相也必然对晶体生长有影响。晶粒或生长基元与晶粒之间的定位机制有4 种:完美结合、 完全结合但伴随有小角度的旋转、 部分结合和没有明显的结合。当两个晶体颗粒在溶液中相互碰撞时 ,两者在分离前能短暂地呆在一起。若在过饱和溶液中 ,结晶物质将沉淀在晶粒之间 ,并且将两者联结起来 ,晶体将生长。这时 ,若溶液的热驱动力较弱 ,或晶体快速生长 ,则晶体会形成聚合体;反之 ,相互碰撞的两个晶粒则被流体的剪切应力分离。 晶体在聚合时会有一定的阻力。因此 ,若溶液中有强离子作用 ,晶粒在快速地结合