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晶体生长基础;明让观裴淄碴晕惊里潍秉斋烁霄姨翔懦瘤钎政歼插胚径劲柔纺夹滋塔眼醒晶体生长机理晶体生长机理;内容简介;目 录;第一章 单 晶 体;谊泼躁构仍授醇坟烈画挫蛮伞胆铂蔡境西评罗渴斤忻储桨湾懦匹杰王石废晶体生长机理晶体生长机理;2.晶体;晶体材料在功能材料中占有重要地位，这是由于它具有一系列独特的物理性能所决定的。 常见的晶体材料有：;烘翘烷贡缕蟹钮铝狮壤鬃借酣弗笨也劈瞄夕袍叫郊柒蔬滓璃氖洲李高撇淡晶体生长机理晶体生长机理;（1）激光晶体;Nd:YVO4 Crystal;A）基质晶体（载体）中掺入激活离子（发光中心Nd3+，Cr3+ ，Ho3+ ，Dy2+ ）。输出的波长从紫外（~0.17?m）到中红外（~5.15 ?m ）。如：红宝石Al2O3:Cr3+，掺钕钇铝石榴石YAG:Nd3+等。;（2）非线性光学晶体;;应用 激光频率转换、四波混频、光束转向、图象放大光信息处理、激光对抗和核聚变等研究领域。 现状： 我国该领域领先 ;（3）电光晶体;要求： 在使用的波长范围内，对光的吸收和散射要小、电阻率要大、介电损耗角要小、化学稳定、机械和热性能好、半波电压低等。 ;（4）声光晶体;（5）磁光晶体;（6）热释电晶体;（7）压电晶体;（8）闪烁晶体;（9）半导体晶体;（10）薄膜晶体;（11）……晶体;1.2 晶体生长单晶时原料（母相）状态对生长方法进行分类： ;晶体生长方法分类; 科学发展要求晶体材料的数量、品质、品种等越来越高。晶体生长方法各有其特点，生产中采用哪一种完全要根据要求来确定。;2. 晶体生长方法发展动向;3. 晶体生长研究方法 晶体生长研究方法同其它材料的研究方法相同，除了严格控制晶体生长原材料之外，对晶体的结构、晶体的生长方法和晶体的性质进行研究是晶体生长研究的重点。由此可见：研究晶体生长必然以 （1）晶体生长 （2）晶体物理 （3）晶体化学 为基础。 简言之：;晶体生长;1.4 材料科学研究与发展方向 （1）材料复合化 （2）纳米材料 （3）智能材料 （4）生物医学材料 （5）C60系列材料;C－CARBON;Carbon is an element that exists in various polymorphic forms, as well as in the amorphous state. ;This group of materials does not really fall within any one of the traditional metal, ceramic, polymer classification schemes. ;1. DIAMOND;Diamond is a metastable carbon polymorph at room temperature and atmospheric pressure. Its crystal structure is a variant of the zinc blende, in which carbon atoms occupy all positions (both Zn and S), as indicated in the unit cell shown in Figure 3.4. ;Figure A unit cell for the diamond cubic crystal structure.;2. GRAPHITE;Graphite has a crystal structure distinctly different from that of diamond and is also more stable than diamond at ambient temperature and pressure.;The graphite structure is composed of layers of hexagonally arranged carbon atoms; within the layers, each carbon atom is bonded to three coplanar neighbor atoms by strong covalent bonds. The fourth bonding electron participates in a weak van der Waals type of bond between the lay