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基于R-SET结构的逻辑门电路和触发器设计

浙 江 大 学 学 报 (理学版) 第 4O卷第 3期 JournalofZhejiangUniversity(ScienceEdition) http://www.journals.zju.edu.cn/sci VMoI_40NO.3 2013年 5月 av2013 基于 R-SET结构的逻辑 门电路和触发器设计 章 专,魏齐 良,申屠粟民 (浙江大学 电子电路与信息系统研究所 ,浙江 杭州 310027) 摘 要 :提 出一种基于单 电子晶体管的新型电路结构—— 1sET结构,并从 R-SET结构的反相器着手对该结构 电 路 的工作原理和性能进行 了分析.构造 出基 于 R—SET 结构的或非 门、一位数 值 比较 器、SR锁 存器和 D触发器.通 过 对各 电路进行 SPICE仿 真,验证 了各电路 的正确性.最后对 R—SET和 互补型 SET2种结构的D触发器进行性能 比较 ,得 出R—SET结构的D触发器具有结构简单 ,功耗低 ,延时小的特点. 关 键 词 :单 电子 晶体管;R-SET;反相器 ;或非 门;触发器 中图分类号 :TN323 文献标志码 :A 文章编号 :1008—9497(2013)03—272—04 ZHANG Zhuan,WEIQi—liang,SHENTU Su—min(InstituteofElectronicCircuitandInformationSystem,Zhe jiangUniversity,Hangzhou310027,China) Designoflogicgateandflip-flopbasedonresistancesingle-electrontransistorstructure.JournalofZh@angUniversity (ScienceEdition),2013,40(3):272—275 Abstract:Basedonsingle—electrontransistor,anovelcircuitstructurenamedresistancesingle—electrontransistor(R— SET)isbroughtout.AfteranalyzingtheworkingprincipleandperformanceoftheinverteronthebasisofR—SET structure,NOR 、one—bitnumericalcomparator、SR LatchandD flip—flopareconstructedintheR—SET structure.In theanalysisprocess,thecircuitisvalidatedbyusingSPICE.Atlast,thestudyshowsthatR—SET structureofD Flip—Flophasadvantagesofsimpleinstructure,low power,lesspropagationdelaycomparedwiththeSET ofcom— plementarytype. KeyWords:single-electrontransistor(SET);R-SET;inverter;NOR;flip—flop 0 引 言 1 SET的J_y特性 单 电子 晶体 管 (single—electron transistor, SET由源极 、漏极 、与源漏极耦合的量子岛、2 sET)作为未来替代 MOs器件 的有力竞争者 ,已成 个隧穿结 以及用来调节量子 岛化学势 的栅极组 为微电子低功耗领域研究 的前沿课题之一口].基

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