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基于R-SET结构的逻辑门电路和触发器设计
浙 江 大 学 学 报 (理学版)
第 4O卷第 3期 JournalofZhejiangUniversity(ScienceEdition)
http://www.journals.zju.edu.cn/sci VMoI_40NO.3
2013年 5月 av2013
基于 R-SET结构的逻辑 门电路和触发器设计
章 专,魏齐 良,申屠粟民
(浙江大学 电子电路与信息系统研究所 ,浙江 杭州 310027)
摘 要 :提 出一种基于单 电子晶体管的新型电路结构—— 1sET结构,并从 R-SET结构的反相器着手对该结构 电
路 的工作原理和性能进行 了分析.构造 出基 于 R—SET 结构的或非 门、一位数 值 比较 器、SR锁 存器和 D触发器.通
过 对各 电路进行 SPICE仿 真,验证 了各电路 的正确性.最后对 R—SET和 互补型 SET2种结构的D触发器进行性能
比较 ,得 出R—SET结构的D触发器具有结构简单 ,功耗低 ,延时小的特点.
关 键 词 :单 电子 晶体管;R-SET;反相器 ;或非 门;触发器
中图分类号 :TN323 文献标志码 :A 文章编号 :1008—9497(2013)03—272—04
ZHANG Zhuan,WEIQi—liang,SHENTU Su—min(InstituteofElectronicCircuitandInformationSystem,Zhe
jiangUniversity,Hangzhou310027,China)
Designoflogicgateandflip-flopbasedonresistancesingle-electrontransistorstructure.JournalofZh@angUniversity
(ScienceEdition),2013,40(3):272—275
Abstract:Basedonsingle—electrontransistor,anovelcircuitstructurenamedresistancesingle—electrontransistor(R—
SET)isbroughtout.AfteranalyzingtheworkingprincipleandperformanceoftheinverteronthebasisofR—SET
structure,NOR 、one—bitnumericalcomparator、SR LatchandD flip—flopareconstructedintheR—SET structure.In
theanalysisprocess,thecircuitisvalidatedbyusingSPICE.Atlast,thestudyshowsthatR—SET structureofD
Flip—Flophasadvantagesofsimpleinstructure,low power,lesspropagationdelaycomparedwiththeSET ofcom—
plementarytype.
KeyWords:single-electrontransistor(SET);R-SET;inverter;NOR;flip—flop
0 引 言 1 SET的J_y特性
单 电子 晶体 管 (single—electron transistor, SET由源极 、漏极 、与源漏极耦合的量子岛、2
sET)作为未来替代 MOs器件 的有力竞争者 ,已成 个隧穿结 以及用来调节量子 岛化学势 的栅极组
为微电子低功耗领域研究 的前沿课题之一口].基
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