材料微观结构第四章晶体中的位错与层错4.pptVIP

4.4.2 金属与合金强化的位错机制 通过各种冷、热加工处理和化学处理以及合金化等途径，改变合金的组织结构，为位错的运动设置障碍，降低位错的活动性，以达到强化的目的。 固溶强化、弥散强化、晶界强化 1 固溶强化―富勒谢(Fleischer)理论 如图4-20，设滑移面上溶质原子任意分布，位错运动将遇到途中溶质原子的阻碍而弯曲。这种阻力因外力增大而增大，位错也愈弯曲。 设位错所遇阻力最大值fmax，外力超过它时，将冲破溶质原子的阻碍而向前运动。此时所对应的切应力叫做临界分切应力τc。 根据位错基本理论，引入位错线张力T，溶质原子的平均线尺寸a和溶质原子的浓度c，经过简单计算可以得到平均间距l。 然后可以求得临界分切应力。不同学者对上述过程的后期处理略在差异，从而也得到过τc?c2/3的关系，其结果更接近实验。 讨论： (1)位错与溶质原子相互作用力fmax来源于： ?基体原子和溶质原子大小不同引起的错配度。 ?不同溶质原子浓度c引起的弹性模量变化。 (2)在富勒谢模型基础上进一步研究表明，要获得最佳固溶强化效果可考虑： ?选择高弹性模量材料作为基体材料； ?溶质浓度尽只可能大一些，使具有或接近过饱和浓度，如淬火； ?还要考虑由溶质原子溶入而引起的畸变类型，引起方正畸变(如C在BCC的α-Fe中)较对称畸变效果要好。 2 弥散强化(沉淀强化) 工程实用材料大多为复相合金。除基体外，