《模拟电路基捶 20091022 第十四次课.pptVIP

1．跨导gm 电压控制电流 电流控制电流 控制 电压输入 电流输入 输入量 多子参与导电 多子、少子均参与导电 载流子 结型耗尽型： N沟道 P沟道 绝缘栅增强型： N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型： N沟道 P沟道 NPN型，PNP型 结构 场效应晶体管 双极型晶体管 晶体管工作在放大区时，输入回路PN结正偏，输入阻抗小，且是一个电流控制的有源器件。 场效应管也是一种具有PN结的正向受控作用的有源器件，它是利用电场效应来控制输出电流的大小，其输入端PN结一般工作于反偏状态或绝缘状态，输入电阻高。 FET与BJT的比较（一） 易受静电影响 不受静电影响 静电影响 适合于大规模和超大规模集成 不易大规模集成 集成工艺 几兆欧姆以上 几十到几千欧姆 输入电阻 受温度影响较小，有零温度系数点 受温度影响较大 温度特性 较小 较大 噪声 场效应晶体管 双极型晶体管 FET与BJT的比较（二） * * Chap4 MOSFET及其放大电路 （8学时，第十四次课） ylzhang@ee.uestc.edu.cn E-NMOSFET工作原理之有关名词 源极S；漏极D；栅极G；衬底极B； 耗尽层；门限电压VT；反型层；沟道；N沟道； 增强型（Enhancement）; 栅源电压VGS；漏源电压VDS ；漏极电流iD； 预夹断；夹断方程；VDS(sat)； 可变电阻区；放大区/饱和区/恒流区； FET；MOS；NMOS FET放大电路组成原则及分析方法 (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，FET的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 组成原则： 静态分析：估算法、图解法。 动态分析：小信号等效电路法。 分析方法： 几种常用的偏置技术 1.单电阻法 缺点：工作点稳定性差 2.分压法 缺点：仍存在工作点随温度变化的问题 3.自给偏压法 缺点：只适用于耗尽型的FET 4.混合偏置法 放大电路中器件的偏置技术 集成电路中的偏置技术 采用恒流源进行直流偏置 采用三极管或恒流源作有源负载 4.2 MOSFET的偏置电路 1．自给偏压 场效应管常用的偏置方式→ 自给偏压 分压式偏置 IDQ VGSQ= –IDQ RS (1) 电路结构 (2) 自给偏压原理 (3) 静态分析→估算法 输入回路方程 当管子工作于放大区时 两式联立可求得IDQ 静态工作点(VGSQ IDQ VDSQ) + _ + _ 2．分压式偏置 由图: (1) 电路结构 (2) 静态分析 + _ + _ + _ _ + 分压式偏置→增强型、耗尽型 两种偏置电路适用的FET类型： 自给偏压→耗尽型 RS的作用→ 稳定静态工作点 3. 信号的输入和输出 常用的耦合方式→ 电容耦合、变压器耦合、直接耦合 一种典型的电容耦合共源极放大电路 + _ + + + _ + 4.2.1 分立MOSFET电路的直流偏置 共源电路及其直流通路 放大区： 电阻区： 静态工作点 (VGSQ IDQ VDSQ) 分立MOSFET电路的偏置电路的静态分析 求VGS，VGSVTN? 假设工作在放大区 ID=Kn(VGS-VTN)2 假设工作在电阻区 ID=Kn[2(VGS-VTN)VDS-VDS2] 工作在截止区 VDSVDS(sat)=VGS-VTN? 成功 失败 VDSVDS(sat)=VGS-VTN? 成功 失败 是 否 是 否 否 是 MOSFET电路的静态分析方法 验证 验证 题型：计算N沟道增强型MOSFET共源极电路的 漏极电流和漏源电压。 例4.2 如图所示电路中，已知R1=30kΩ，R2=20kΩ，RD=20kΩ， VDD=5V，VTN=1V，Kn=0.1mA/V2。求ID和VDS。 分析→ VGSVTN，假设FET处于放大状态： ∴假设成立，即FET处于放大状态， 上述计算有效。 例4.3 如图所示电路中，已知场效应管的参数为VTN=1V， Kn=0.5mA/V2。 求VGS、ID和VDS。 分析→ 假设FET处于放大状态，则： ∴假设成立，即场效应管处于放大状态，上述计算有效。 带源极电阻的 直流偏置电路 题型：计算N沟道增强型MOSFET共源极电路的 栅源电压、漏极电流和漏源电压。 例4.4 直流电路如图所示。已知 VTN=2V，Kn=0.16mA/V2。 试确定R1和R2，使流过它们的电流为0.1ID，要求ID=0.5mA。 分析→ 假设FET处于放大状态，则： 带源极电阻的直流偏置