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武汉理工2008年研究生入学考试试题参考答案 一、填空题 4，,12 空位，间隙质点 溶解，晶体 ，微观 平行于表面的方向上，表面自由能 交变应力，高周疲劳，低周疲劳 晶界过剩的自由能，晶界两侧自由能之差是使界面向曲率中心平移的驱动力 接触界面上的化学反应，反应物通过产物层的扩散 冷却 熔融温度 平行 二、 1（1）S2-做六方最紧密堆积，Zn2-也做六方最紧密堆积，占四面体空隙的1/2 （2）配位数都为4，[SZn4] [ZnS4 ] (3) 六方柱晶体中ZnS分子数为6，平行六面体中分子数为2. （4）其结构中无对称中心，加热使整个晶体温度变化，结果在该晶体C轴垂直方向的一端出现正电荷，在相反的一侧出现负电荷的性质。 2 硅酸盐晶体结构非常复杂，但不同结构之间具有下面的共同特点： （1）结构中Si4+离子位于O2-离子形成的四面体中心，构成硅酸盐的基本结构单元[SiO4]四面体。 （2）[SiO4]四面体的每个顶点，即O2-离子最多只能为两个[SiO4]四面体所共用。 （3）两个相邻的[SiO4]四面体之间只能共顶而不能共棱或共面连接。 （4）[SiO4]四面体中心的Si4离子可部分的被Al3+所取代，取代后结构本身并不发生变化，即所谓同晶取代，但晶体的性质却发生很大的变化。 三、1 P153 正离子为标准Ca x Zr 1-x O 2-x 以负离子为标准Ca 2y Zr 1-y O 2-y 2（1）可能，首先要确定金属氧化物中，主要是金属离子位置上的置换。原子或离子尺寸的影响，1-r1/r2=10%15% 电价因素，为了保证形成固溶体的电中性，不等价置换不易形成连续固溶体。晶体结构类型影响，两者晶体结构一致。 （2）原子或离子尺寸的影响，1-r1/r2=15%，晶体结构类型的影响，两者晶体结构类型不一致。所以看其系统的固溶度是有限的。 四、1，因为与Ca2+和F-相比，Pb2+、I-之间有较大的极化性能。能够极化使表面原子重构，降低系统能量，所以PbI2的表面双电层厚度比CaF2大。 2，、 所以不能润湿。 五、P174,178 粘度2Na2O·SiO2Na2O·SiO2Na2O·2SiO2 碱金属氧化物的阳离子所带电荷少，半径大，为系统提供“自由氧”而使Si/O比值下降，从而使原来的硅氧负离子解聚为较简单的结构单元，使或性能降低，粘度减小。 一般Si/O比值越大，熔体中聚合阴离子团越大，e/r比值越小，相互作用力越小，因此这些聚合阴离子团就部分被排挤到熔体表面，降低表面张力，粘度越小。一价金属阳离子的加入以断网为主，它的加入使聚合阴离子团解聚。使得e/r增大，粘度增大。 所以粘度 2Na2O·SiO2Na2O·SiO2Na2O·2SiO2 形成玻璃能力2Na2O·SiO2Na2O·SiO2Na2O·2SiO2 一般聚合阴离子团的尺寸越大，这些负离子团位移，转动，重排就越困难，质点在冷却过程中调整成规则排列的晶体就越难，就越易形成玻璃。 六、P420 △Gr＝△GV＋·时…………………………………………………………………① ……………………………………………………………………②把②带入①得 △Gr= 2，Vc= 七、 解： 对 FeO,易形成负离子过剩型非化学计量化合物,其缺陷反应式为： 　　　　　　 　　　　　 　　　　　另外,在MgO的烧结中是正离子起扩散起控制作用的烧结过程,因而氧气氛和氧分压较高是有利的。  A+C+D E2低共熔点L C+D+F E3双降点 L+F+A D E4低共融点L C+B+F E5低共融点L F+A+B 4，