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一种新型的二维光子晶体与光纤微纳集成结构传感器 技术领域 本发明涉及，属于。 背景技术 目前国际上有关光子晶体传感器的应用研究报道已越来越多，所涉及到的光子晶体传感器的功能种类主要有生化传感器（文献1，Di Falco, A., L. O’Faolain, and T. F. Krauss. Chemical sensing in slotted photonic crystal heterostructure cavities. Applied physics letters 94.6 (2009) 063503）、压力感知传感器（文献2，Yang Yi, Daquan Yang, Huiping Tian, and Yuefeng Ji. Photonic crystal stress sensor with high sensitivity in double directions based on shoulder-coupled aslant nanocavity, Sensors and Actuators A: Physical 193 (2013) 149-154）、湿度传感器（文献3，Shi, Jinjie, Vincent KS Hsiao, Thomas R. Walker, and Tony Jun Huang. Humidity sensing based on nanoporous polymeric photonic crystals, Sensors and Actuators B: Chemical 129, no. 1 (2008) 391-396）、折射率传感器（文献4，D. F Dorfner, T.Hürlimann, T.Zabel, L. H.Frandsen, G.Abstreiter, and J. J.Finley. Silicon photonic crystal nanostructures for refractive index sensing, Applied Physics Letters, 93, 181103 (2008)）、微位移感知传感器（文献5，Daquan Yang, Huiping Tian, and Yuefeng Ji. Microdisplacement sensor based on high-Q nanocavity in slot photonic crystal, Optical Engineering, 50(5), 054402, (2011)）、温度传感器（文献6，H.Lu, M. P. Bernal. Integrated temperature sensor based on an enhanced pyroelectric photonic crystal. Optics express, 21(14), 16311-16318(2013)）等等。上述可实现不同传感功能的光子晶体传感器基本原理都是基于光子晶体光子禁带(PBG，photonics band gap)对禁带内导模在平面内的局域效应，其耦合方式是在光子晶体平面内进行的。随着光子晶体传感器应用研究的深入，光子晶体传感器的性能参数（品质因数Q值、灵敏度、分辨率、集成度）都得到了很大的提升。但与此同时，该类型高性能光子晶体传感器也面临着两个关键技术难题需要解决：1）结构设计复杂，实际制作困难：上述高性能光子晶体传感器结构模型都是基于结构复杂的光子晶体微腔结构，传感结构的优化设计相对比较复杂，而且对于微纳加工制备技术精度要求非常高，不利于光子晶体传感器的实际制作；2）耦合校准复杂，应用测试困难：目前有关光子晶体传感器件的研究和应用，大多都是基于光子晶体结构对光波在结构平面内的导光局域特性实现的，使得该类光子晶体传感器在实际应用测试中需要在传感器件输入输出两端通过两根光纤耦合透镜来进行校准耦合，导致在实际应用测试过程中操作复杂，校准困难，耦合效率不高等问题。文献 为了克服上述困难，本发明 本发明采用完美二维平面光子晶体与传输型光纤微纳集成结构。在传输型单模光纤一端的横截面上引入二维光子晶体结构作为核心敏感元件，使得光波在传输过程中只需经过普通的传输型单模光纤传输就可以直接完成高效耦合共振传输，不需要添加特殊的光纤耦合透镜来提高耦合效率，降低了实际测试应用成本。同时在光纤传输特性优势的基础上，本发明可进一步用于传感器网络的构建和远程实时监测。 发明内容 本发明 本发明的主要研究内容是以二维光子晶体与光纤微纳集成结构为研究对象，基于光子晶体Fano共振原理，利用平面波展开法(PWE)，从二维光子晶体能带结构和导模特性入手，重点分析位于能带结构光锥区域内的传导模式(Guided