第3章 补充 半导体基础 201003.pptVIP

模电 第1章 半导体基础 * 1.1 半导体的基本知识 一、半导体 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间。 常用的半电体材料为硅（Si）和锗（Ge），它们均为四价元素 半导体具有特殊性质：光敏特性、热敏特性及掺杂特性等。 1.1.1 本征半导体 * 在热力学温度零度 和没有外界激发时, 本征半导体不导电。 把纯净的没有结构缺陷的半导体单晶称为本征半导体 图1.2 本征半导体的共价键结构 硅原子 价电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 二、本征半导体的结构 * +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 本征激发 复合 成对出现 成对消失 本征激发和复合 三、本征半导体中的两种载流子 电子和空穴 * +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 外电场方向 空穴移动方向 电子移动方向 在外电场作用下，电子和空穴均能参与导电 价电子填补空穴 形成两种电流： 电子电流， 空穴电流 * +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 1.1.2 杂质半导体 一 . N 型半导体 在硅或锗的晶体 中 掺入少量的 五价元 素,如磷, 则形成N型半导 体。 磷原子 +4 +5 多余价电子 自由电子 正离子 图1-4 N型半导体 * N 型半导体结构示意图 少数载流子 多数载流子 正离子 在N型半导体中,电子是多数载流子（多子）, 空穴是少数载流子（少子），但仍是电中性 第1章 1.1 * +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 二. P型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的三价元素,如硼,则形成P 型半导体。 +4 +4 硼原子 填补空位 +3 负离子 * 电子是少数载流子 负离子 空穴是多数载流子 在P型半导中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 * 一、PN 结的形成 在同一块半导体单晶上,形成P型半导体和N型半导体,在这两种半导体的交界处就形成了一个PN 结。 1.1.3 PN 结 多子扩散 少子漂移 内电场方向 空间电荷区 P 区 N 区 * 由于载流子的浓度差，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散。这种由于浓度差引起的运动称为扩散运动。 随着扩散运动的进行，N区出现正离子区，P区出现负离子区，这个不能移动的电荷区叫空间电荷区。因没有载流子，也叫耗尽层、势垒区、阻挡层。 * 由空间电荷区产生的、方向为N区指向P区的内建电场阻碍了扩散运动，同时使少子产生漂移运动，即N区的空穴向P区漂移， P区的电子向N区漂移。 当漂移运动和扩散运动达到动态平衡时，扩散电流等于漂移电流且方向相反，PN结中电流为零，PN结宽度及电位差Uho为恒定值。 硅：（0.6～0.8）V；锗：（0.1 ～0.3）V。 * 内电场方向 二、 PN 结的特性 1、PN 结的单向导电性 是指PN结在不同极性的外加电压作用时，其导电能力有显著差异。 * 内电场方向 E 外电场方向 R I P 区 N 区 外电场驱使P区的空穴进入空间 电荷区抵消一部分负空间电荷 N区电子进入空间电荷区 抵消一部分正空间电荷 空间电荷区 变窄 扩散运动增强，形 成较大的正向电流 （1） 外加正向电压(正偏)（P端接电源正极） PN结两端不能直接接电源两端。 * P 区 N 区 内电场方向 E R 空间电荷区变宽 外电场方向 IR （2） 外加反向电压(反偏) （N端接电源正极） 少数载流子越过PN结形成很小的反向电流 * PN结的单向导电性 PN结正向偏置时靠多子导电，产生的正向电流数值较大,此时容易导电； PN结反向偏置时靠少子导电，产生的反向电流数值很小，几乎不导电。 * 2、PN结的伏安特性及其表达式 I / mA U / V I为流过PN结的电流，U为PN结两端的外加电压。 Is为反向饱和电流， UT 为“温度电压当量” ，常温时，UT ≈ 26mV PN结的伏安特性是指PN结两端的外加电压与流过PN结的电流之间的关系曲线。 * PN加正向电压，且UUT时， PN加反向电压，且?U ? UT时， I / mA U / V 3、PN结的击穿特性 当PN结反向电压超过一定数值UBR后，反向电流急剧增加，该现象称为反向击穿， UBR称为反向击穿电压 * 雪崩击穿 2. 齐纳击穿 当PN结反向电压增加时，可能会发生反向击穿。 要保证PN结不因电流过大产生过热而损坏。 当反向电压下降到击穿电压（绝对值）以下时，PN结的性能便可恢复击穿前状态。 * PN结电容 势垒电容 扩散电容 4、 PN结的电容效应 PN结