实用高频基本电路集( 1 ).PDFVIP

實 用 高 頻 基 本 電 路 集 ( 1 ) 實用高頻基本 電 路 集 DDSC 實 用 高 頻 基 本 電 路 集 ( 2 ) 小 信 號 放 大 電 路 ＪＦＥＴ閘極接地前置放大器 圖１－１為接合型ＦＥＴ ２ＳＫ１２ ５（SONY ）閘極接地放大電路之例子，２ ＳＫ１２５之電極配置係中央為閘極，所以 利用於閘極接地電路時，在印刷銅箔上利用 閘極之接地電極能使輸入輸出分離。電路的 功率增益大約在１０～１２ｄＢ，ＮＦ為２ ｄＢ左右。 電路中的ＬＣ數值，依頻率之不同，要 選用表１－１之數值，Ｌ１、Ｌ２為在環形 鐵蕊（Toroidal Core ）上直徑約０. ３㎜之聚 亞脂胺線，直接插在基板上，如此才不會有 雜散電容產生，於電源通路裝上２～３個０. ００１μＦ的傍路電容可以使電路動作更趨穩 定。 要調整的地方係源極的電阻值，使洩極電流大約在１０ｍＡ之譜，此外，調整微調電容 器（Trimmer Condenser ）可以使感度達最佳點，但是增益最大點及ＮＦ值最佳點並不一致， 所以通常都是調整在ＮＦ值的最佳點。 實 用 高 頻 基 本 電 路 集 ( 3 ) 單閘極 MOS FET 前置放大器（１） ＶＨＦ高頻放大電路以往都是以雙極 電晶體（Bipolar Transistor ）為主流，但是現 在大都以ＦＥＴ取代之。 圖２－１便是其代表性電路，２ＳＫ２ ４１（東芝）係ＶＨＦ用的ＦＥＴ，功率增 益可達２８ｄＢ（＠１００ＭＨｚ ），是最 適於ＶＨＦ接收器的高頻放大級使用的。由 於閘極的動作點是零偏壓（Zero Bias ），所 以電路的結構相當簡單，電路的全部元件共 有六個，配合表２－１所示之電感及電容就 能適用於各種頻率的高頻放大電路。洩極電流為９ｍＡ，在電源電壓為６～１２Ｖ之範圍內， 洩極電流都保持一定。 實 用 高 頻 基 本 電 路 集 ( 4 ) 單閘極 MOS FET 前置放大器（２） 圖３－１為１００ＭＨｚ，頻帶的ＲＦ放大器，ＲＦ放大器的要求是ＮＦ要良好增益要 高，以往，這兩項要求總是會有顧此失彼的情形，因此要在電路上下一番工夫，但是近來由 於元件及裝置等之性能改善很多，使用價廉的ＭＯＳ ＦＥＴ就可以很簡單的製作完成。 調整的方法如下所示：首先，請依圖 ３－２之方式配線，循跡產生器（Tracking Generator ）之信號經過阻抗橋（Impedance Bridge ），大約有－３０～－４０ｄＢｍ的