第4章波导制作技术.PDFVIP

第４章　波导制作技术 在第３章中，讨论了有关各种类型波导的理论。在每种情形中，波导的形成都取决于波导 区与周围媒质之间的折射率差。已经创造了多种技术用于产生所需的折射率差，每种方法各 具有优缺点，并且没有一种方法可以说是具有明显的优势。波导制作技术的选择取决于实际 应用以及现有设备。本章将讨论波导制作的多种方法以及它们固有的特点。 ４．１　薄膜沉积 最早使用和最有效的波导制作方法之一是介质材料的薄膜沉积。近些年，玻璃和聚合物 波导迅速增长的重要原因在于其相对于半导体和铌酸锂材料具有成本优势。国际通信网络（有 时也称做“信息高速公路”）的全面实施需要数以百万计的廉价波导器件。在本节中，沉积这个 词被广泛定义为既包括液态源沉积的方法（如甩涂和浸渍），也包括真空气相沉积和溅射的 方法。因为聚合物薄膜在波导器件的应用迅速扩大，在本版本中用一整章进行专门的讨论。 第５章将描述聚合物波导的制作及其在集成光学中的多种应用。 ４．１．１　介质薄膜溅射 生产常规应用薄膜（如增透膜）的标准方法———热激励真空蒸镀很少应用于波导制作，因 为其制得的薄膜对可见光的波长有相当高的损耗（１０ｄＢ／ｃｍ）。这种高损耗是由于包含着起吸 ［１］ 收和散射中心作用的污染原子造成的 。取而代之的是使用固态源的分子溅射沉积。溅射的 过程是原子或分子在真空中被具有超过约３０ｅＶ到２ｋｅＶ能量的离子轰击而从源（靶）材料表 面剥离，从靶的表面逸出的原子（或分子）可以沉积在衬底的表面上形成薄膜。溅射的薄膜通 过以相当大的动能到达表面的单个粒子的堆积而缓慢增厚。因为沉积的原子是动态分布于整 个表面的，使这个过程产生的薄层很均匀。由于这个过程是在比真空蒸气沉积所需的温度相 ［２］ 对低的温度下进行的，靶材料在使用前可以高纯度化，因此，可以生成损耗为１ｄＢ／ｃｍ 的优 质光学薄膜。 ［３］ 溅射 薄膜的一种方法是通过等离子体放电，如 图４．１所示。靶和衬底放置在真空系统中，气体在２～ －３ ２０×１０ ｔｏｒｒ的压强下通入。在阳极与阴极之间施加 高压偏置，从而建立起等离子体放电。等离子体放电 时所产生的离子向阴极加速撞击靶，这样把它们的动 能传递给靶材料表面的原子，这些原子因而被溅射出 来，随后沉积在衬底上。 为了使溅射的原子与衬底黏附得好以产生均匀的 图４．１　用于薄膜沉积的等离子体放电系统 低损耗层，衬底在放进真空系统前必须在适当的溶剂 或刻蚀剂中彻底清洗。所以在任何薄膜沉积过程中衬底清洗是一个基本的重要步骤，但其方 ［４］ 法因衬底和薄膜的材料而异。Ｚｅｒｎｉｋｅ 对衬底清洗程序进行了综述。 第４章　波导制作技术 ３５ 图４．１中衬底的位置仅仅是可采用的许多不同几何结构中的一个代表，因为从靶溅射的 原子趋向于沉积到暴露在真空系统中的每个表面上，为了得到沉积层最好的均匀性，从衬底到 靶的距离应该比衬底的尺寸大。然而，增加衬底 靶间距会减小沉积率，使得产生一定厚度的 膜层需要更长的时间。衬底通常同阳极接触，因为它提供了易于得到均匀膜层的几何形状。 但是，如果要求分离的衬底偏压，则必须提供电隔离，而且由入射电子而引起的衬底发热会相 当显著。图４．１中挡板的目的是遮蔽衬底以免在最初几分钟或在等离子体放电刚激励时被沉 积，因为在那段时间释放出许多吸附的污染原子。 通常会在等离子体腔中使用氩、氖或氪等其中一种惰性气体，以免沉积层被激活原子污 染。然而，在某些情形中采用反应溅射是有利的，其中从靶溅射的原子同轰击离子反应形成氧 化物或氮化物薄膜。例如，在氨气中用硅靶按如下反应形成氮化硅： （４．１） 施加在阳极与阴极之间的偏置电压，可以是直流的或者有直流分量的射频电压。射频溅 射通常产生质量较好的薄膜，不会遇到在低电导靶上电荷集聚的问题