第六章1沉淀重量法试卷.pptVIP

* 2. 沉淀的类型 （1）晶形沉淀：颗粒直径0.1～1μm， 排列整齐，结构紧密， 比表面积小，吸附杂质少 易于过滤、洗涤 例：BaSO4↓（细晶形沉淀） MgNH4PO4↓（粗晶形沉淀） （2）无定形沉淀：颗粒直径﹤0.02μm 结构疏松 比表面积大，吸附杂质多 不易过滤、洗涤 例： Fe2O3?xH2O↓ （3）凝乳状沉淀：颗粒直径界于两种沉淀之间 例：AgCl↓ 重量分析法 * 3．沉淀的形成 晶核的生长 晶核的形成 成核作用 均相、异相 生长过程 扩散、沉积 聚集 定向排列 构晶离子 晶核 沉淀微粒 无定形沉淀 晶形沉淀 重量分析法 * 重量分析法 晶核的形成 均相成核（自发成核）：过饱和溶液中，构晶离子通过相互静电作用缔和而自发生成晶核。一般认为，晶核含有4～8个构晶离子或2～4个离子对组成。 异相成核：非过饱和溶液中，构晶离子借助溶液中或烧杯壁上肉眼不能看见的固体微粒形成晶核。 * 晶核的生长 影响沉淀颗粒大小和形态的因素： 聚集速度：构晶离子聚集成晶核后进一步堆积成沉淀微粒的速度 定向速度：构晶离子以一定顺序排列于晶格内的速度 注：沉淀颗粒大小和形态决定于聚集速度和定向速度比率大小 聚集速度＜ 定向排列速度 → 晶形沉淀 聚集速度＞ 定向排列速度 → 无定形沉淀 重量分析法 * 各种沉淀都有一个能大批地自发产生晶核的相对过饱和极限值，这称为临界过饱和值。 相对过饱和度=（Q-s）/s，其中： Q：瞬间沉淀剂总浓度，s：晶核溶解度； 控制相对过饱和度在临界值以下，沉淀则以异相成核为主，常常得到大粒沉淀； 若超过临界值，则以均相成核占优势，导致大量细小的微晶出现。 重量分析法 * 6. 4 影响沉淀纯净的因素 1．共沉淀现象 2．后沉淀 3．提高沉淀纯度措施 重量分析法 重量分析中，要求得到的沉淀是纯净的，但当沉淀从溶液中析出时，不可避免的夹带溶液中的其他组分。因此须了解影响沉淀纯净的因素，从而找出减少杂质混入的方法。 * 重量分析法 1．共沉淀现象 （1）表面吸附 在沉淀的晶格中，构晶离子按照同电荷相斥、异电荷相吸的规则排列，在整个晶体内部处于静电平衡状态。但处在沉淀表面或边、角上的离子，至少有一面未和带相反电荷的离子连接，使其受到的引力不均衡，因此表面上的离子就有吸附溶液中带相反电荷离子的能力。 吸附共沉淀：沉淀表面吸附引起杂质共沉淀。 一定操作条件下，某些物质不能单独生成沉淀，但当溶液中一种物质形成沉淀时，它即可随同生成的沉淀一起析出，此即共沉淀。 * 共沉淀吸附中，首先被沉淀表面吸附的离子是溶液中过量的构晶离子，组成吸附层。 为了保持电中性，吸附层外面还需吸引异电荷离子作为抗衡离子，这些处于较外层的离子结合得较为松散，叫做扩散层。 吸附层和扩散层组成包围颗粒表面的双电层（电偶层）。 重量分析法 * 重量分析法 除吸附以外，沉淀表面吸附杂质量还与下列因素有关： 沉淀总表面积 杂质浓度 溶液温度 减小表面吸附的方法 制备大颗粒沉淀或晶形沉淀 适当提高溶液温度 洗涤沉淀，减小表面吸附 吸附规则 对抗衡离子，若各离子浓度相同，则优先吸附那些与构晶离子形成溶解度最小或离解度最小的化合物的离子；离子价数越高，浓度越大，越易被吸附。 * （2）包藏： 沉淀生长速度过快，表面吸附的杂质来不及离开沉淀表面就被随后沉积下来的沉淀所覆盖，包埋在沉淀内部，这种因吸附而留在沉淀内部的共沉淀现象称～。 包藏的程度也符合吸附规则。 减少或消除方法 包藏是造成晶型沉淀污染的主要原因。由于杂质被包藏在结晶内部，不能用洗涤法除去。 通过改变沉淀条件，重结晶或陈化法减少污染。 重量分析法 * （3）形成混晶或固溶体： 存在与构晶离子晶体结构相似、离子半径相近、电子层结构相同的杂质离子，沉淀时进入晶格中形成混晶。 减小或消除方法 前面几种方法，如洗涤、陈化、改变沉淀条件等作用不大。 可采用： 将杂质事先分离除去；加入络合剂；或改变沉淀剂等消除干扰离子 例：BaSO4与PbSO4 ，AgCl与AgBr 同型混晶 BaSO4中混入