第1篇 PN结二极管(前4节).ppt

1 半导体器件原理 西南科技大学应用物理专业 2 第1章 pn结二极管 pn结是结型半导体器件如结型晶体管、场效应晶体管的心脏； 在制造晶体二极管，晶体三极管和场效应晶体管等结型器件时，其主要工艺就是制造性能良好的pn结； 深入地了解和掌握pn结的基本理论是学习晶体管等结型器件原理的重中之重。 3 1.1 PN结的形成原理与方法 1.2 平衡PN结 1.3 PN结空间电荷区电场和电位分布 1.4 PN结势垒电容 1.5 PN结直流特性 1.6 PN结小信号交流特性与开关特性 1.7 PN结击穿特性 本章内容： 4 掌握PN结的形成、杂质分布，空间电荷区的能带、电场、电位分布，直流特性的物理机理和数学表达式，电容和小信号交流特性，开关特性和击穿特性； 理解泊松方程、连续性方程、电荷控制方程的物理意义和解法。 本章要求： 5 第1节 pn结的制作 p (n) pn结的结构 在n(p)型半导体上以适当方法(合金、扩散、外延生长、离子注入)把掺入p(n)型杂质掺入形成pn结 6 合金法形成pn结 n-Si n型衬底与p型再结晶层杂质均匀分布，在分界处浓度突变。 7 突变结 单边突变结： NAND p+—n结 NDNA n+—p结 衬底材料为低杂质浓度 pn结两边杂质均匀分布，杂质浓度NA(p区)、ND (n区) 为常数，在pn结交界处(xj ) 突变。 N (x) = NA x xj N (x) = ND x xj 突变结的杂质分布 8 扩散法形成pn结 n-Si p型杂质 P-Si n-Si 扩散结的杂质分布 氧化、光刻、扩散 扩散结的杂质分布 净杂质浓度随位置的变化 pn结的杂质分布一般可归纳为：突变结和线性缓变结。合金法和高表面浓度浅扩散结，xj处aj很大，近似突变结；对于低表面浓度的深扩散，可以认为线性缓变结。 11 （1）恒定源扩散 表面杂质浓度恒定不变，杂质分布为余误差分布： 12 （2）限定源扩散 杂质总量限定，杂质浓度分布为高斯分布： 13 第2节 平衡PN结 1 空间电荷区 P型：杂质原子 ——空穴正电荷 + 负离子电荷 N型：杂质原子 ——电子负电荷 + 正离子电荷 处于电中性平衡状态，ni2 = pp np = nn pn ——没有任何外加作用的PN结 14 交界处附近，P区的空穴向N区扩散，留下负离子电荷——受主离子电荷（杂质原子放出空穴即接受电子）； N区的电子向P区扩散，留下正离子电荷——施主离子电荷（杂质原子放出电子）。 在一块半导体不同区域通过工艺形成P型和N型 15 内建电场E：在PN结形成时，空间电荷区正、负电荷之间建立电场，方向为N指向P。 16 动态平衡：载流子的扩散运动（杂质浓度梯度决定）和漂移运动（电场决定）作用相等，净电流为 0。 耗尽层：Q+=Q- 即： qNAAxp=qNDAxn 空间电荷区的宽度主要在低掺杂一侧 18 2 能带图 反映材料的导电特性 单独的P、N型半导体， 禁带宽度Eg反映材料导电能力的大小； 费米能级EF反映材料的导电类型和掺杂浓度的大小。 19 能带图 平衡态PN结 PN结无外加作用，可证明有统一的费米能级EF （见推导） ； 电场E使能带弯曲qVD ——势垒高度(势垒区) ； 空间电荷区能量变化，两端有电势差VD ——接触电势差； 空间电荷区外无电场，能量与电势不变。 ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ﹣ ○ ﹣ ○ ﹣ ○ P + + + + + + + ● + ● + ● N E xp xn EC EF EV qVD VD xn -xp x o φ(x) φn φp 结构图 电势图 Eg -xp xn W(x) Wn Wp x 电势能图 Ei 20 1、电场的方向指向电势能或本征能级增加的方向 2、凡是有电场的地方，能带一定发生弯曲！ 3、电子从N区到达P区必须要具有qVD的能量，相当于要越过一 个势垒高度，能量坡的空间范围叫势垒区，宽度为势垒宽度。 负号表示电场的方向指向电位下降的方向 21 3 接触电势差VD VD与PN结两边的掺杂浓度、温度、禁带宽度有关。 22 4 载流子浓度 1、平衡PN结空间电荷区任意x处的电子浓度与空穴浓度的乘积仍然等于本征载流子浓度的平方。 2、绝大部分区域的载流子浓度远小于中性区的载流子浓度。 23 第3节 PN结空间电荷区电场和电位分布 杂质分布→电场和电位分布→PN结的特性； 讨论两种典型情况：突变结，线性缓变结。 耗尽层近似： 1、空间电荷区内不存在自由载流子，只有施主离子和受主离子，即自由载流子耗尽； 2、空间