第9章MOS逻辑集成电路版图设计资料.ppt

第九章 MOS逻辑集成电路版图设计 内容提要 MOS逻辑IC的一般工艺设计 栅保护 版图设计的一般规则 MOS集成电路的设计包括三个内容： 1：电路设计： 根据电路的指标和工作条件，决定电路各元件的参数，如VT，W/L，以及电路类型，如NMOS，PMOS，CMOS等。 2：工艺设计： 根据电路电学特性要求及给定的工艺指标，如杂质浓度，分布，结深，阈电压等，设计出工艺流程，工艺条件，工艺要求等。 3：版图设计： 根据电路设计及工艺设计，将电路中的各元件合理布局，画出相互套合的版图。 电路设计部分在CMOS门电路设计中已有接触，工艺设计则必须具有熟练的实践经验作基础，在此，仅对典型工艺作简单介绍。本章重点介绍版图设计中的一些特殊问题，而一般设计原则与双极集成电路相类似。 §9-1 MOS集成电路工艺设计 一．材料参数的选取 1：硅衬底材料： a：型号： PMOS N 型 NMOS P 型 CMOS N阱、P阱两种选择 SiO2中具有正表面态，杂质在Si-SiO2中分凝系数差异造成所谓“N型化效应”，两者均使VTN值下降， 增加，而CMOS要求