三极管的高频等效模型.pptVIP

§4.7.2 晶体管的高频等效模型 三极管在高频运用时的物理过程与低频运用时不同。例如，在高频时，三极管极间电容的作用及接线电容的影响不可忽略。 一、晶体管的混合?模型二、晶体管电流放大倍数的频率响应 一、晶体管的混合?模型 1、完整的混合?模型2、简化的混合?模型3、混合?模型的主要参数 一、晶体管的混合?模型 1、完整的混合?模型 我们在计算h参数的h11(rbe)时，曾用到了晶体管的物理模型，当时没有考虑极间电容，考虑到极间电容后的物理模型如图所示： 一、晶体管的混合?模型 与此相对应的混合?模型如下：  图中gm为跨导： 一、晶体管的混合?模型 2、简化的混合?模型 通常，rce远大于负载电阻，而 也远大于C?的容抗，认为二者开路，如图： 一、晶体管的混合?模型 由于C?跨接在输入与输出回路之间，使电路分析变复杂。因此，为简单起见，将C?等效在输入回路和输出回路，称为单向化。如图所示： 一、晶体管的混合?模型 等效变换过程如下，变换前，从左往右看流过C?的电流为： 一、晶体管的混合?模型 为保证等效变换，要求流过C′?的电流不变，端电压为 ，其容抗为： 一、晶体管的混合?模型 近似计算时， 取中频时的值，即 因此： 同理，从C?的右端看进去，可得出： 一、晶体管的混合?模型 一般情况下， 的容抗远大于集电极的总负载，可以忽略，由此可得出简化的混合?模型如下： 一、晶体管的混合?模型 3、混合?模型的主要参数 简化的混合?模型有四个电路参数： ⑴ ： 半导体器件手册中给出； ⑵ ： 一、晶体管的混合?模型 ⑶gm：与h参数模型相比，受控电流源的表达方 式不同，但表述的是同一物理量，即： 一、晶体管的混合?模型 ⑷ C′?： C?的求解过程下面分析。 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 在高频段，由于极间电容的存在，使晶体管的电流放大倍数不再象低频时保持常数，而是频率的函数。根据定义： 因此 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 如图所示： 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 可见 的频率响应与低通电路相似，令：??称为共射截止频率。 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 其对数幅频特性与对数相频特性为： 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 由此画出波特图： 图中?T是使 下降到1（0dB）时的频率。 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 令对数幅频特性等于零可以求出?T： 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 因为?T??，所以 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 在半导体手册可以查出?T和C?(Cob)，这样就可以计算出C?，而： 至此，我们已得到混合?模型的所有四个参数。 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 利用 的表达式，可以求出 的截止频率： 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 ??是 下降到0.707?0的频率，称为共基截止频率。 * 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 *