RC吸收回路设计资料.pdfVIP

缓冲电路 开关管开通和关断理论上都是瞬间完成的，但实际情况开关管关断时刻下降的电流和上升的 电压有重叠时间，所以会有较大的关断损耗。为了使IGBT 关断过程电压能够得到有效的抑 制并减小关断损耗，通常都需要给IGBT 主电路设置关断缓冲电路。通常情况下,在设计关于 IGBT 的缓冲电路时要综合考虑从IGBT 应用的主电路结构、器件容量以及要满足主电路各种 技术指标所要求的IGBT 开通特性、关断特性等因素。 选用RCD 缓冲电路，结构如图4-5 所示。 对缓冲电路的要求：尽量减小主电路的电感；电容应采用低感吸收电容；二极管应选用快开 通和快速恢复二极管，以免产生开通过电压和反向恢复引起较大的振荡过电压。 （1）缓冲电容的计算 I 50 Cs ce (tr =+tf ) =×0.85 0.51uF V 84 ce （2）缓冲电阻的计算 t 0.5 ×50us R on 29.4=Ω s 3C 3×0.283uF s （3）缓冲二极管的选择 选用快速恢复二极管ERA34-10，参数为0.1A/1000V/0.15us。 RC 吸收回路设计基础 RC 吸收回路的作用，一是为了对感性器件在电流瞬变时的自感电动势进行钳位， 二是抑制电路中因dV/dt 对器件所引起的冲击，在感性负载中，开关器件关断 的瞬间，如果此时感性负载的磁通不为零，根据愣次定律便会产生一个自感电动 势，对外界辞放磁场储能，为简单起见，一般都采用RC 吸收回路，将这部份能 量以热能的方式消耗掉。 设计RC 吸收回路参数，需要先确定磁场储能的大小，这分几种情况： 1、电机、继电器等，它的励磁电感与主回路串联，磁场储能需要全部由RC 回 路处理，开关器件关断的瞬间，RC 回路的初始电流等于关断前的工作电流； 2、工频变压器、正激变压器，它的励磁电感与主回路并联，励磁电流远小于工 作电流。虽然磁场储能也需要全部由RC 回路处理，但是开关器件关断的瞬间， RC 回路的初始电流远小于关断前的工作电流。 3、反激变压器，磁场储能由两部份辞放，其中大部份是通过互感向二次侧提供 能量，只有漏感部份要通过RC 回路处理， 以上三种情况，需要测量励磁电感，互感及漏感值，再求得RC 回路的初始电流 值。 R 的取值，以开关所能承受的瞬时反压，比初始电流值；此值过小则动态功耗过 大，引值过大则达不到保护开关的作用； C 的取值，则需要满足在钳位电平下能够储存磁能的一半，且满足一定的dV/dt 开关电源的电磁兼容性设计(EMC 设计)-减小干扰源干扰能量的缓冲电路 在开关控制电源的输入部分加入缓冲电路（如图示），其由线性阻抗稳定网络组成，用于消除电 力线干扰、电快速瞬变、电涌、电压高低变化和电力线谐波等潜在的干扰。缓冲电路器件参数为 D1 为MUR460，R1=500Ω，C=6nF，L=36mH，R=150Ω。 RCD 吸收电路的设计 对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而 我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS 管最大反峰，又要RCD 吸收回路功耗最小） 在讨论前我们先做几个假设， ① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ； ② RCD 中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）； ③ 在调整RCD 回路前主变压器和MOS 管，输出线路的参数已经完全确定。 有了以上几个假设我们就可以先进行计算： 一﹑首先对MOS 管的VD 进行分段： ⅰ，输入的直流电压VDC； ⅱ，次级反射初级的VOR； ⅲ，主MOS 管VD 余量VDS； ⅳ，RCD 吸收有效电压VRCD1。 二﹑对于以上主MOS 管VD 的几部分进行计算： ⅰ，输入的直流电压VDC 。 在计算VDC 时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。 VDC ＝VAC *√2 ⅱ，次级反射初级的VOR 。 VOR 是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5% （依 Vo =5.25V 计算），二极管VF 为0.525V（此值是在1N5822 的资料中查找额定电流下VF 值）． VOR ＝(VF +Vo)*Np/Ns ⅲ，主MOS 管VD 的余量VDS． VDS 是依MOS 管VD 的10%为最小值．如KA05H0165R 的VD=650 应选择DC65V． VDC ＝VD*