第五讲微细加工技术.ppt

牺牲层技术 首先在厚525μm的硅片上沉积一层1μm 厚的PSG（磷硅酸盐玻璃）牺牲层（图（a））；然后在PSG上刻蚀出窗口（图（b）），再在牺牲层上沉积1μm 厚多晶硅（图（c）），然后对多晶硅进行刻蚀，得到所需要的多晶硅悬臂梁（图（d））。最后去掉牺牲层PSG，由于前面已经在PSG上刻蚀出窗口，多晶硅悬臂梁与硅片在裸露的窗口处连接，从而可得到悬在硅片上面的悬臂梁结构（（e）） 五、三维结构（体）微加工工艺 体硅微加工技术常用方法有化学刻蚀和离子刻蚀。 三维结构的微加工可以通过平面工艺结合牺牲层技术实现 可利用键合技术实现 可利用LIGA技术实现 键合技术是指不用胶和黏合剂而将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料融合到一起，形成很强的键的一种加工方法。 硅片键合往往与表面硅加工、体硅加工相结合，用在MEMS的加工工艺中。通常先进行硅片加工，装配好各个微结构后实施键合工艺，以制造出复杂的三维结构，它适合批量生产。 键合技术主要通过加电、加热或加压的方法，使材料层很好地连接在一起。主要方法有静电键合（即阳极键合）、热键合、金属共熔键合、低温玻璃键合、冷压焊键合等。 常见的硅片键合技术包括金-硅共熔键合、硅-玻璃静电键合、硅-硅直接键合等。 键合技术 LIGA技术是德文光刻（Lithographie）、电铸 （Galvanoformung）和注塑（Abformung）三个德文单词的缩写。LIGA工艺是一种基于X光线光刻技术的三维微结构加工技术，通过电铸成形和注塑工艺，形成深层微结构。 利用LIGA技术可以加工各种金属、塑料和陶瓷等材料，得到大深宽比的精细结构，其加工深度可达几百微米。 LIGA技术的特点： （1）可制作高度达数百至一千微米，深宽比大于200，侧壁平行线偏差在亚微米范围内的三维立体结构； （2）对微结构的横向形状没有限制，横向尺寸可小到0.5微米，加工精度可达0.1微米； （3）用材广泛，金属、合金、陶瓷、聚合物、玻璃都可作为LIGA加工对象； （4）与微电铸、注塑巧妙结合可以实现大批量复制生产，成本低。 LIGA技术 LIGA主要工艺步骤 通过X射线深度光刻后，在光刻胶层上形成微型、精密的型膜；然后进行微电铸，制造出金属微复制模具；并用它来进行微复制工艺和二次微电铸，再利用微注塑技术进行微器件的大批量生产。 六、封装技术 微系统的封装分三个级：第一级为芯片封装，第二级为器件封装，第三级为器件封装。在此封装包括装配、封装和测试三个内容。如图。第一级封装是为了保护芯片级微结构器件不变形、不破裂、保护系统信号测控集成电路、必要的抗干扰电气隔离和机械隔离。工艺有引线键合、芯片密封等。第二级封装主要解决接口问题，包括芯片固定和电路器件固定以及外部引线键合等。 第三级封装是电路屏蔽、抗电磁干扰、抗外力破坏和隔热，通常采用金属外罩保护措施。 图示为微压力传感器的芯片级封装简图。分别采用金属壳封装和用塑料密封。 * 现代传感器的发展方向是微型化、多功能化和智能化。在硅集成电路工艺基础上发展起来的微细加工技术能将尺寸缩小到光波长数量级，且能批量生产微型低成本传感器。除氧化、掺杂、光刻、腐蚀、沉积等硅集成电路工艺外，还有一些独特的加工技术和新的加工方法，如各向异性腐蚀技术、LIGA技术、键合技术、准分子激光加工技术等，不但可进行高精度三维加工，还可以将微型传感器和信号检测及处理电路集成一体，以及将微型机械元件等执行器与传感器集成一体，组成微系统。 硅膜片电容式压力传感器 （1）在单晶硅基底上，用各向异性腐蚀技术（体去除加工）制成一个三维空腔，空腔上形成一个硅膜片，直径1000微米，厚20微米。 （2）在硅基底上沉积SiO2掩膜作绝缘层（厚度几个微米）；在绝缘层上蒸镀直径700微米，厚20微米的金属电极。 （3）通过光刻、照相、腐蚀、镀层等微电子工艺制作集成电路IC。 （4）在电极与集成电路周围用键合技术制作支承，分别把镀层电极和屏蔽层（静电盾）的玻璃衬底与支承用键合技术连接。 （5）通过预留连接孔与外部连接引线，电容电极间隙在1~5微米之间。测量时感知电容与校正电容比较，产生信号输出。 一、光刻技术 光刻技术是加工制造半导体集成电路和集成传感器微图形结构的关键技术。光刻技术的运用使大规模生产变得经济可行。可以在一块晶片上并行制造众多结构，可以将先前设计的众多结构复制出来，无磨损、无破坏地传送到晶片上。 所谓光刻是指在一块平整的硅片上利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术将超小型的图案刻印上去来制作复杂精密的电路或微机械结构的技术。 光刻技术中涂在光刻硅片上的光刻胶与相片中的相纸原理是一样的，掩膜与底片的功能也是一样的。 对光刻技术的一般要求是：高分辨率、高灵敏度、低缺陷、精密套刻对准和大尺寸硅片加工等。