第章 MOS场效应管.ppt

第11章 MOS场效应管基础 11.1 MOS电容--MOS二极管 MOS电容--MOS二极管 理想MOS二极管-能带图 能带图-积累 能带图-耗尽 能带图-反型 非平衡能带图--n型* 2. 耗尽层宽度 耗尽层宽度—电势/反型 耗尽层宽度—强反型 最大耗尽层宽度 例* 3. 功函数差* 功函数差 功函数差 4.平带电压 陷阱电荷* 陷阱电荷* 陷阱电荷* 平带电压 平带电压* 5. 阈值电压 阈值电压 阈值电压* 4. 电荷分布* 11.2 MOS电容-电压特性 MOS的C-V特性 1. 理想C-V特性 ② 耗尽状态 耗尽状态 ③反型状态 MOS电容的C-V特性 2. 频率特性 频率特性 3.氧化层电荷与界面电荷效应* 界面电荷效应* 界面电荷效应* 11.3 MOSFET基本工作原理 2. 基本工作原理 基本工作原理 基本工作原理 基本工作原理 电流?电压特性* 3. 小信号跨导 小信号导纳* 4. 衬底偏置效应 衬底偏置效应 11.4 频率特性 1. 小信号等效电路 简化低频小信号等效电路 2. 频率限制因素与截止频率 频率限制因素与截止频率 频率限制因素与截止频率 11.5 MOSFET按比例缩小 按比例缩小规范 2. 恒定电压等比例缩小(CV律) 按比例缩小规范(scaling rule) 在阈值反型点, 耗尽层达到最大, 此时电容最小 dT S OX OX OX x t C ) / ( min e e e + = ￠ MOS电容电压的微小变化→强反型层电荷密度的变化(耗尽层宽度基本不变) →此时电容=栅氧化层电容 OX OX OX t C inv C / ) ( e = = ￠ P衬底MOS电容的C-V特性 阈值反型点 平带时 MOS电容器理想低频电容和栅压的关系. 平带发生在堆积和耗尽之间,平带电容为: a s s ox ox ox FB qN q kT t C e e e e + = 上述各电容,一般均为pF量级. 反型模式下p型衬底MOS电容电荷分布示意如图. 电容电压的微小变化→反型层电荷密度变化. 反型层电荷—电子的来源: ①p型中少子—电子的扩散; ② 耗尽层中的热运动形成的电子-空穴对. 高频时, 只有金属和空间电荷区内电荷变化, 反型层中的电荷不能响应电容电压的微小变化. →高频时: C=C’min 堆积 反型 高频 C VG 0 当测量频率足够低时, 使表面耗尽区内的产生-复合率与电压变化率相当或更快时, 电子浓度(少子)与反型层中的电荷可以跟随交流的信号变化而变化. 因此导致强反型时的电容只有氧化层电容CO. 右图为在不同频率下测得的MOS的C-V曲线, 注意低频的曲线发生在≤100Hz时. 堆积 反型 低频 高频 C VG 0 V V / 6 . 0 8 . 0 0 . 1 0 10 - 20 - 10 20 o / C C ? Si-SiO2 V V / 6 . 0 8 . 0 0 . 1 0 10 - 20 - 10 20 o / C C 10Hz 103Hz d=200nm C-V图的频率效应 102Hz 104Hz 105Hz Na=1.45*1016cm-3 在平带电压部分已讨论过相关电荷—统称为陷阱电荷. ox ss ms FB C Q V ￠ - = f 当存在氧化层电荷时(不考虑界面电荷), 平带电压可表示为: Q￠ss:固定氧化层电荷; fms: 金属-半导体功函数差. 氧化层 x P-Si 0 rs d x0 Q￠m Q￠ss 平带MOS电荷-电场分布 0 x0 x E VFB -E0 由于Q￠ss不是栅压的函数, 不同的栅氧化层电荷将表现为C-V曲线的平移. ) ( a ) ( b ) ( c 0 V - V + 0 5 . 0 0 . 1 ) ( a ) ( b ) ( c 0 V - V + 0 5 . 0 0 . 1 C - V 0 / C C 0 / C C Qss3 Qss2 Qss10 对于给定的MOS结构,fms与Cox是已知的?可求出理想平带电压. 从测得的C-V特性曲线可得到平带电压的实验值?得到固定氧化层电荷. EV 禁带中电子允态 在势垒二极管中已讨论过界面态. 受主型界面态:空能级时为电中性, 接受电子后带负电, 称为受主型界面态; 施主型界面态: 能级被电子占据时呈电中性, 释放电子后呈正电性, 则称为施主型界面态; 由于表面态是否被占据与费米能级有关?界面电荷与栅压有关. Ec EFi 积累模式 P-Si 图示为积累模式的能带图, 施主型界面态存在净的正电荷. 禁带中央 EF EV 若改变删压, 使能带图成图b的形式, 界