大F数硅微透镜阵列的制作及光学性能测试研究.pdfVIP

维普资讯 第 27卷 第 12期 中 国 激 光 VoI．A27，No．12 2OOO年 12月 CHINESE JoURNA L oF LASERS December．20OO 大 数硅微透镜阵列 的制作及 m7 。 光学性能测试研究 建 程祖海 黄 光 (华中科技大学激光授术国家重点实验室 武汉 30074) (航天机电集团二院二部 北京 100854) 提要 提出了一种补偿刻蚀法 ：在经过常规光刻热熔成形和离子柬刻蚀技术翩成的硅徽透镜 阵列 上再涂敬几层光刻腔 ，以降低各单元微透镜的 曲率，然后再次进行加热固化和离子柬刻蚀 。扫描 电 子 显微 镜 (SEM)显示微透镜 阵列为表面授为平缓的球冠形阵列 ，表面探针测试结果显示用补偿刻 蚀法制作的徽透镜的，效和 效分别可达到 31．62和 35．88，而常规光刻热熔法报难制作出F效和 F’效分别超过 100和 400的徽透镜阵列 。光学填充因子也由常规方法的 64．3 提 高至 78．5 ， 关键词透蓑微透萎镜阵列，离子柬刻蚀，冕光到胶，点扩散函函效效 c7T徘步月占一l l引 言 末 坛 磁 由于折射型微透镜阵列器件在焦平面集光、激光准直、大面阵显示 、光效率增强、光计算 、 光互联及微型光扫描等方面获得越来越广泛的应用 ，它的制作工艺和方法得 到了 日益深入的 研究。其中光刻 ／热熔成形 ／离子束刻蚀技术具有工艺简单 、成本低廉 、工艺参数 易于控制及环 境污染小等优点 ，但 以下原 因严重 限制 了大 F数 (即面形较为平缓 的)微透镜 的制作 ：首先 ，微 透镜在热熔成形过程 中受表面张力 的影响将 出现临界角效应0]；另外 ，离子束刻蚀过程 中硅衬 底具有 比光刻胶更大 的刻蚀速率 ，光刻胶掩膜 图形不能精确地转移到硅衬底上 ，刻蚀后微透镜 的曲率变大了 2【]。鉴于大 数微透镜阵列在微光学和 自适应光学中有着非常重要的作用 ，最 近 ，一些学者提出了许多改变微透镜 F数的方法 口 ]，如阶梯光刻热熔法 ，该法采用控制曝光 时 间使光刻胶 不完全曝光 ，使图形边界残留一薄层曝光：足 的光刻胶 ，即改变 了常规热熔 法I=7 的边界条件 ，使微透镜的面形更趋和缓 。本文提出了补偿刻蚀法 ：通过涂胶形成更为平缓 的胶层表面轮廓，经热处理和离子束刻蚀转移至硅衬底 中。该法大大提高了硅微透镜阵列的 F 数， 数和填充因子 ，并大大改善了通过微透镜成像的像质，使点扩散函数更接近理想值 。 2 补偿刻蚀法 图 1所示为用补偿刻蚀法在硅基片上制作微透镜阵列的工艺流程 。 *国家 863高技术 发展计捌资助项 目资助课题 。 收稿 日期 ；1999—04—19}收到修改稿 日期 1999—09—2 维普资讯 1O98 中 国 激 光 27卷 photolithography —tingand 、r、 、、q meltingagainl I 图 1 128×128元硅折射型微透镜阵列的剜备工艺流程 F喀．】 Schematicdiagram offabricationof128×128Sirefractivemlcrolensa~ray 2．I 常规光刻 ／热熔成形 ／氢离子柬刻蚀法 在经清洗的硅基片上用旋转离心法涂布光刻胶薄膜 ，实验 中采用国产 BP212紫外正型光 刻腔 ．再将光刻胶膜通过铬板在紫外线 下接触曝光 ，掩摸版为直径 45 m，圆心间距为 50 m 的 128×128二维阵列，经显影和冲洗后得到光致抗蚀