3半导体分立器件.pptVIP

* * 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 （三）. 半导体分立器件 1 .常用半导体分立器件及其分类 ?半导体二极管 (DIODE) ?双极型晶体管 (TRANSISTOR) ?晶闸管 ?场效应晶体管 (FET, Field Effect Transistor ) 场效应晶体管（Field?Effect?Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 普通二极管 稳压二极管(ZENER DIODE)齐纳二极管zener diodes 整流二极管 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 三极管 T0-226 T0-3 T0-220 T0-23 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 场效应管（MOSFET) MOSFET和三极管的主要区别 1：MOSFET是电压控制器件，三极管是电流控制器件 2．MOSFET输入阻抗很大，三极管输入阻抗比MOSFET小 3．MOSFET输出电阻比三极管小，所以驱动能力强 4．MOSFET截止频率比三极管截止频率高。 如果这个器件的输出参数大小和输入的电流参数大小有关，就叫该器件是电流控制器件，简称流控器件；电流控制器件输入的是电流信号，是低阻抗输入，需要较大的驱动功率。例如：双极型晶体管(BJT)是电流控制器件、TTL电路是电流控制器件 如果这个器件的输出参数大小和输入的电压参数大小有关，就叫该器件是电压控制器件，简称压控器件；电压控制器件输入的是电压信号，是高阻抗输入，只需要较小的驱动功率；例如：场效应晶体管(FET)是电压控制器件、MOS电路是电压控制器件 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 晶闸管 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 晶闸管 ?半导体二极管分类 普通二极管：整流二极管、检波二极管、稳压二极管、恒流二极管、开关二极管等； 特殊二极管：微波二极管、变容二极管、雪崩二极管、SBD、TD、PIN、TVP管等； 敏感二极管：光敏二极管、热敏二极管、压敏二极管、磁敏二极管； 发光二极管 按照结构工艺不同，可分为点接触型和面接触型。 按照制造材料不同，可分为锗管和硅管。 点接触型结电容小，适用于高频电路。 面接触型可通过较大的电流，多用于频率较低的整流电路。 锗管正向导通电压约为0.2V，反向漏电流大，温度稳定性较差。 硅管反向漏电流小，正向导通电压约为0.7V 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 双极型三极管 分类： 按照结构工艺分类，有PNP和NPN型。 按照制造材料分类，有锗管和硅管。 按照工作频率分类，有低频管（3MHz以下）和高频管（几百MHz 以上）。 按照集电极耗散的功率分类，有小功率管（1W以下）和大功率管（几十W以上 ）。 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 ?场效应晶体管 结型硅管：N沟道（外延平面型）、P沟道 （双扩散型）、隐埋栅、V沟道（微波大功率）； 结型砷化镓管：肖特基势垒栅（微波低噪声、 微波大功率）； 硅MOS耗尽型：N沟道、P沟道； 硅MOS增强型：N沟道、P沟道。 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 场效应管是电压控制器件,在数字电路中起开关作用； 栅极的输入电阻非常高，一般可达几百MΩ甚至几千MΩ； 场效应管还具有噪声低、动态范围大等优点。 场效应晶体管 特点： ?晶闸管 普通晶闸管： 双向晶闸管： 特殊晶闸管：正反向阻断管、逆导管等。 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 2 半导体分立器件的型号命名 ⑴ 国产半导体分立器件的型号命名（表1、2、3） 表1 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 表2 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 表3 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 注：场效应管、半导体特殊器件等的型号命名只有三、四、五部分。 例如： 三极管 NPN型硅材料 高频小功率管 产品序号 规格号 3 D G 6 C 场效应器件 产品序号 规格号 CS 1 B 电子产品制造工艺 中山火炬职业技术学院电子工程系 ⑵ 日本半导体分立器件的型号命名。 共分五部分 已经在日本电子工业协会（JEIA）注册登记的半导体器件 含义 S 符号 注册标志