第5章MOS场效应管的特性资料.pptVIP

迁移率的退化（续） 经过长期研究，已经确定，在电场不强时，N沟道的?确实比P沟道的?大得多，约2.5倍。但当电场增强时，这个差距就缩小，当电场强到一定程度，N管与P管达到同一饱和速度，得到同一个?值。它与掺杂几乎无关。 5.7.3 沟道长度调制 简化的MOS原理中，认为饱和后，电流不再增加。事实上，饱和区中，当Vds增加时，Ids仍然增加的。这是因为沟道两端的耗尽区的宽度增加了，而反型层上的饱和电压不变，沟道距离减小了，于是沟道中水平电场增强了，增加了电流。故器件的有效沟道长度为， L = L?? 式中?是漏极区的耗尽区的 宽度，如右图所示，且有: 其中Vds?VDsat?是耗尽区上的电压。如果衬底掺杂高，那么这种调制效应就减小了。 5.7.4 短沟道效应引起门限电压变化 迄今，我们对MOS管的分析全是一维的。无论是垂直方向，还是水平方向，都是一维计算的。我们隐含地假定，所有的电场效应都是正交的。然而，这种假定在沟道区的边沿上是不成立的。因为沟道很短，很窄，边沿效应对器件特性有重大影响。（最重要的短沟道效应是VT的减小。） 加在栅极上的正电压首先是用来赶走P型衬底中的多数载流子——空穴，使栅极下面的区域形成耗尽层，从而降低了Si表面的电位。当这个电位低到P型衬底的费米能级时，半导体出现中性。这时，电子浓度和空穴浓度相等。若再增加栅极电压，