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低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究-哈尔滨理工大学学报
17 1 Vol. 17 No. 1
第 卷 第 期 哈 尔 滨 理 工 大 学 学 报
2012 2 JOURNAL OF HARBIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY Feb． 2012
年 月
低导通电阻沟槽栅极LIGBT 的模拟研究
， ， ， ，
李 婷 王 颖 陈宇贤 高松松 程 超
( ， 150001)
哈尔滨工程大学信息与通信工程学院 黑龙江哈尔滨
: (LIGBT) ， 5
摘 要 横向绝缘栅双极晶体管 采用少数载流子的注入来降低导通电阻 完成了
μm 外延层上普通LIGBT (C － LIGBT)、3 μm 外延层上的Trench Gate LIGBT (TG － LIGBT)设计及仿
． LIGBT RESURF TG － LIGBT
真 研究了利用沟槽结构改善 的正向特性和利用 技术改善 的反向特
． Silvaco TCAD 500 V LIGBT ，
性 通过 软件验证了了击穿电压大于 的两种结构 设计 实现了导通压降
1. 0 V ， ， 、 TG － LIGBT ．
为 薄外延层上小元胞尺寸 且有低导通电阻 大饱和电流的 器件
:LIGBT ; ; ; ;
关键词 沟槽 击穿电压 导通电阻 导通压降
中图分类号:TN387. 5 文献标志码:A 文章编号:1007－ 2683 (20 12)0 1－ 0078－ 04
Performance Simulation and Analysis of Trench Gate Lateral Insulated
Gate Bipolar Transistor with Low on-state Resistance
LI Ting ， WANG Ying ， CHEN Yu-xian ， GA O Song -song ， CHENG Chao
(Information and Communication Engineering College ，Harbin Engineering University ，Harbin 15000 1，China)
Abstract :LIGBT has the advantage of very low on-resistance because of minority carriers injection． The opti-
mization and simulation of this article is completed within two structures :5 μm conventional LIGBT
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