低表面掺杂浓度高效晶体硅太阳电池案例.pptxVIP

姓名：张杰 部门：研发部 低表面掺杂浓度高效晶体硅太阳电池研究 2011-8-6 引言 为什么选用低表面浓度 常规方阻与高方阻电池特性对比 如何实现低表面浓度的优势 低表面浓度电池的性能测试 为了提高太阳电池对太阳光各波段的吸收，太阳能工作者一直致力于提高太阳电池的光谱响应。 其中提高短波响应的方法主要有扩散浅结、 在电池片光照面制减反射膜等。扩散浅结可以减少 “ 死层” 的影响，增加光生载流子的收集率，提高短波响应。SiNx耐磨且疏水性好、减反射效果好，而且有很好的表面和体钝化作用，可使硅表面复合减少，从而有效地提高电池顶层的短波响应。 本文主要是围绕扩散浅结这一方向展开研究，通过方块电阻和正面网版图形的搭配实验，达到提升电池片转换效率的目的。 方块电阻的探讨 浅结 轻掺 深结 重掺 d ρ 高方阻 低方阻 为什么选用低表面浓度 表面掺杂量与少子寿命的关系 随着表面掺杂浓度的增大，少子复合损失增多，少子寿命迅速下降。 备注： 陷阱复合：半导体中的杂质和缺陷会在禁带中产生允许能级。这些陷阱能级引起一种很有效的两级复合过程。 俄歇复合：碰撞电离效应的逆过程。 辐射复合：光吸收的逆过程。 为什么选用低表面浓度 此图为光吸收71%时，最大的死层厚度与截止波长的关系，当死层厚度越小，短波端截止波长越短，所以浅结可以展宽短波段的光谱效应。 结深与死层的关系 常规方块电阻电池特性 常规方块电阻 35-45 相对深结 缺点：表面和顶区复合损失大，短波光谱响应差 优点：电极烧结条件放宽 相对高的表面浓度 缺点：死层厚，表面复合损失大，短波光电转换效率低 优点：电极欧姆接触好，串联电阻小 高方块电阻电池特性 如何实现低表面浓度的优势 验证（44根细栅，线宽100μm） 目标方阻 实际方阻 平均值 35 41 41 42 41 41 41.2 41 41 42 40 40 40.8 45 48 49 49 48 49 48.6 48 49 49 48 48 48.4 55 57 59 58 58 57 57.8 58 60 59 57 58 58.4 65 65 66 66 64 64 65.0 65 68 65 64 64 65.2 A组 Pmpp Uoc Isc Rs FF Ncell 35 2.667 0.625 5.526 0.005 77.22 0.1723 45 2.705 0.627 5.576 0.005 77.36 0.1747 55 2.693 0.63 5.636 0.007 75.85 0.1739 65 2.686 0.631 5.702 0.008 74.66 0.1735 如何实现低表面浓度的优势 改进方案（54根细栅，线宽90μm） 54线网版细栅宽度：大约90um 44线网版细栅宽度：大约100um 理论上两种网版遮光面积相差： （54*90um-44*100um）*123mm=56.58mm2 实际上两种网版遮光面积相差： （54*100um-44*110um）*123mm=68.88mm2 实际遮光面积差占整个面积的0.445%，对电流具有一定的影响。 如何实现低表面浓度的优势 验证（54根细栅，线宽90μm） 目标方阻 实际方阻 平均值 35 38 35 34 36 35 35.6 36 38 35 36 37 36.4 45 45 46 45 43 44 44.6 45 46 46 47 44 45.6 55 53 52 51 53 54 52.6 54 55 55 55 56 55.0 65 63 64 61 60 63 62.2 62 63 66 63 61 63.0 B组 Pmpp Uoc Isc Rs FF Ncell 35 2.701 0.625 5.538 0.004 78.05 0.1745 45 2.711 0.628 5.591 0.004 77.21 0.1751 55 2.738 0.631 5.652 0.005 76.78 0.1769 65 2.760 0.633 5.715 0.007 76.28 0.1782 改良前后电性能对比 FF降低主要是因为表面薄层电阻的增加，增大了Rs。 低表面浓度电池的性能测试 量子效率 低表面浓度电池的性能测试 EL测试 方块电阻65Ω/□ 方块电阻35Ω/□ 方块电阻45Ω/□ 方块电阻55Ω/□ 实验总结 方阻越高，需要越密的栅线与之配合，才能发挥出高方阻低表面浓度的优势，这其中有两个难点，其一是高方阻均匀性的控制，其二是银浆的选择，需要综合考虑银浆的导电特性、粘度等，使之适合密栅高方阻的印刷烧结。 通过实验，65欧方阻与54线网版较匹配，45欧方