化学水浴沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响.pdfVIP

太阳能学报 第 34 卷第8 期 Vol. 34 , No.8 ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA 2013 年8 月 Aug. , 2013 文章编号:0254剧协副2013 )08-1311 -06 化学水浴沉积参数对 CdS 薄膜生长速率的影晌 王智平12 ，赵静1 ，王克振2 (1.兰州理工大学材料科学与工程学院，兰州 73∞50; 2. 兰州理工大学可再生能源研究院，兰州 73∞50) 摘 要:采用化学水浴法，在醋酸锅、硫服、氨水、醋酸镀的体系中制备 CdS 薄膜，设计 ~56 正交实验，研究各沉积 参数对 CdS 薄膜生长速率的影响。结果表明，温度、醋酸镀浓度、搅拌强度为主要影响因素，醋酸铺、硫服、氨水的 浓度为次要因素，生长速率最小为O.68nmlmin ，最大达到 43. 12nmlmin。各沉积参数对 CdS薄膜生长速率的影响 规律各不相同，随温度升高而单调增加，随醋酸镀浓度增大而单调下降;随着转速的加快生长速率先增大后减小最 后保持稳定;醋酸铺、硫服和氨水浓度对生长速率的影响规律较为复杂，存在一临界浓度，在临界浓度两侧生长速 率变化差异较大，当浓度过大时，生长速率开始下降。 关键词:化学水浴沉积(CBD) ; CdS 薄膜;正交实验;生长速率 中图分类号: TN305 文献标识码:A 度和搅拌强度，设计5 水平6 因素的正交实验，系统 0 号| 地研究温度、搅拌强度和各溶质浓度对薄膜生长速 CdS 薄膜为 N 型半导体材料，其带隙为 2.4eV ， 率的影响。 主要用于 CdTe 薄膜电池的窗口层材料和 CIGS 薄 1 实验过程 膜电池缓冲层材料。 CdS 薄膜制备方法较多，如真 实验选用的药品均为分析纯，用蒸馆水配制成溶 空蒸发法、溅射法、近空间升华法、电沉积法、化学水 液，衬底为25.4mm x76. 2mm x 1. 5mm 的普通玻璃。 浴沉积法等，其中化学水浴沉积法工艺简单，得到的 在沉积CdS 薄膜之前，玻璃衬底依次在丙酣、酒精和 薄膜具有光电性能好，表面粗糙度低，空隙少等优 点[l] ，目前转换效率最高的 CdTe 和 CIGS 薄膜电池 去离子水中超声清洗lOmin。反应液各溶质的浓度 分别为:2 - 8mmoVL Cd (CH COO)2 、 8 - 32mmoνL 中的 CdS 薄膜均采用化学水浴沉积法制备[2] 。 3 SC(NH )2 、O. 02 - O. 08moVL CH COONH 和 0.2- 化学水浴沉积法制备 CdS 薄膜，在含有硫服、