阳极氧化对GaA s A lGaA s 量子线荧光的影响.PDF

　第 19 卷第 1 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　 　　 . 19, . 1　 V o l N o 　1998 年 1 月　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Jan. , 1998　 阳极氧化对 GaA s A lGaA s 量子线荧光的影响 陈效双　万明芳　刘兴权　窦红飞　陆　卫　沈学础 ( 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室　上海　200083) . , . . S Yuan G L i and C Jagadish ( , , D ep artm ent of E lectronic M aterials E ng ineering R esearch S chool of P hy sical S cience and E ng ineering Institu te of A d vanced S tud ies, T he A ustralian N ational U niversity , Canberra A CT 0200, A ustralia ) 摘要　本文报道脉冲阳极氧化对低压金属有机化学气相沉积自组织生长的 量 GaA s A lGaA s 子线荧光的影响. 通过比较阳极氧化和无阳极氧化且均快速退火样品的荧光谱获得互扩散减 少直接生长样品存在的缺陷和无序等, 从而减小量子线非辐射复合; 另一方面, 无序等涨落的 消除减小槽边量子阱对光生载流子的局域化, 导致大量的光生载流子从槽边量子阱输运到量 子线中产生相对于无阳极氧化非常增强的荧光信号. 考虑量子线横向宽度的变化作为微扰, 采 用简单模型理论上计算给出与实验完全一致的结果. PACC: 7320, 7855 随着纳米制备技术的发展和半导体应用的进一步需要, 半导体量子线的制备、研究及应 用受到日益广泛的关注. 由于一维载流子局域化, 散射减小, 导致迁移率的提高将有益于半 [ 1 ] 导体光电子器件的应用 . 例如:W eisbuch 等已经表明与量子阱激光器比较量子线激光器 [ 2 ] 有低的阀值电流和高的差分增益等 . 在众多一维量子线制备技术中, 在刻蚀的衬底上自组 [ 3～ 5 ] 织制备量子线机制最引人注意 . 这种技术利用A lGaA s 与 GaA s 层在刻蚀 GaA s 衬底的 V 形槽底部自组织制备量子线. 由于Ga 吸咐原子的迁移率比A l 吸咐原子的迁移率大, 在 ( ) 100 面 GaA s 选择生长在V 形槽的底部, 形成月牙形的量子线结构. 这种量子线展示高的