第十一章 半导体器件物理 施敏 第二版.pptVIP

本章主题 电特性和物理特性上p-n结的形成 在偏压下，结耗尽层的特性 电流在p-n结的输运，产生及复合对其的影响 p-n结的电荷储存对其暂态响应的影响 发生在p-n结的雪崩倍增及其对最大反向电压的影响 异质结及其基本特性 4.1 基本工艺步骤 4.2 热平衡状态 能带图 平衡费米能级 内建电势 空间电荷 4.3 耗尽区4.3.1 突变结电场电势分布 耗尽层近似 耗尽层近似 电势分布 P-N和P+N结 耗尽层宽度 单边突变结相关公式 4.3.2 线性缓变结 线性缓变 4.4 耗尽层势垒电容 两种结势垒电容公式 单边突变结 线性缓变结 变容器 4.5 电流电压特性 4.5.1 理想情况 4.5.2 产生复合与大注入影响 产生复合与大注入影响 产生复合与大注入影响 产生复合与大注入影响 串联电阻和大注人效应 4.5.3 温度影响 4.6 电荷储存与暂态效应 扩散电容 暂态响应 4.7 PN结的电击穿 雪崩击穿通用公式 隧道击穿 4.8 异质结 异质结 两个假设 耗尽区宽度 作业5 作业6 对于v3kT/q 复合电流 串联 大注入 在n端pn=nn 电流正比于 增长较缓慢 扩散和复合产生电流大小和温度有关 硅二极管I，V和温度的关系 正向偏压 反向偏压 225 175 125 75 25 VF/V VR/V 225 175 125 75 25 对于一扩散电流占优势的单边p+-n，饱和电流密度JS和温度关系 对p+-n结在反向偏压 少数载流子的储存 概念当结处于正向偏压，中性区储存电荷的重新排列，对结电容会产生附加电容 理想二极 管电导G P-N结小信号等效电路 V I I Cd Cj G + - VF I 基本开关电路 - + VR IF IR toff 0.1IR 由正向偏压到反向暂态响应 击穿机制： 雪崩击穿 隧道击穿 一载流子产生 雪崩击穿条件 单边突变结 线性缓变结 硅 扩散结的雪崩击穿电压判断条件 考虑边缘效应的通用公式 隧道穿透几率P： 隧道长度: 隧道击穿: VB4Eg/q 雪崩击穿： VB6Eg/q 不同材料组成的结 EC EC1 EF1 EV qx1 q qx1 q Eg2 EC2 EF2 EV2 EV1 真空能级 两个分离半导体能带图 vbi V b2 Vb1 qx2 q EC qx2 q EC1 EF1 EC2 EF2 EV2 Eg2 Vb2 EV EV1 Eg1 Vb1 X1 X2 热平衡时，理想p-n异质结能带图 1 热平衡界面两端费米能级相同 2 真空能级必须连续，且平行于能带边缘 总内建电势 * * 第4章 PN结 4.1 基本工艺步骤 4.2 热平衡状态 4.3 耗尽层 4.4 耗尽层势垒电容 4.5 电流-电压特性 4.6 电荷储存与暂态响应 4.7 结击穿 4.8 异质结 PN结是同一块半导体晶体内P型区和N型区之间的边界 PN结是各种半导体器件的基础，了解它的工作原理有助于更好地理解器件 基本工艺步骤 1氧化 2图形曝光 3扩散和离子注入 4金属化 p-n结：整流性 VB I/mA v/V 反向击穿 正向导通 p n EC EC EF EF EV EV 形成结前均匀掺杂p和n半导体 p n + + + - - - E EC EC 漂移 扩散 EF EF EV EV 扩散 漂移 热平衡时，在耗尽区电场p-n结能带图 开始，N区中存在高浓度的电子，P区中存在高浓度的空穴。然后，载流子互相扩散，分别留下ND+和NA-。这样一来，产生了一个电场?BJ阻止它们的继续扩散。 在平衡态，扩散=漂移, ?BJ =常数 电荷和电势分布满足Poisson方程： p n ++ ++ -- -- 内建电势概念 在热平衡时p型和n型中性区的总静电势差 注意：PN结的内建电势决定于掺杂浓度ND、NA、材料禁带宽度以及工作温度 由中性区移动到结会遇到一窄小的过度区，这些掺杂离子的空间电荷部分被移动载流子补偿，越过了过度区，进入移动载流子浓度为零的完全耗尽区，这个区域称为耗尽区 在p=n=0 两个重要列子 1 突变结 2 线性缓变结 假定：ND ，NA 是常数 耗尽层近似 Possion方程 总耗尽层宽度为： N区有： P区： 电场随x线性变化，在x=0时达最大值： 在P+N结中，NAND,xpxn 在n+p结，NDNA,XnXp 结相关公式 热平衡时，Possion方程 电场为 在x=0处，最大电场为 内建电势 耗尽区宽度 单位面积耗尽层势垒电容定义 （其中dQ是外加偏压变化dv时，单位面积耗尽层的增量） 冶金结 p p n V+dv w x dQ 0 dv dE=dQ/ a 图 B图 C图 反向