YAVO4雷射於环氧树脂成型晶圆钻盲孔技术之研究-National.PDF

工程科技與教育學刊 第八卷 第三期 民國一○○年九月 第 415 ～427 頁 532nm Nd ：YAVO4 雷射於環氧樹脂成型晶圓鑽盲孔技術之研究 陳勇仁 1 、林昭文2 國立高雄應用科技大學 機械工程系 E-mail : 2095313115@cc.kuas.edu.tw 摘 要 隨著近年來可攜式電子產品的蓬勃發展，各類相關產品逐漸朝向高密度、高性能以及輕、薄、短、小 之趨勢而走，各式樣三維結構的封裝也因而配合推陳出新，以期能符合輕薄短小與高密度的要求，而可大 幅降低成本的晶圓級構裝（Wafer Level Package ，WLP ）也漸漸受到重視，除了一般目前常用矽晶穿孔導通 （Through Silicon Via ，TSV ）之外，另具類似垂直堆疊應用的樹脂成型晶圓穿孔導通 （Through Molding Via ， TMV ）三維結構封裝架構也是晶圓級構裝發展之一，其中 TMV 穿孔導通也是本文研究部分；TMV 封裝架 構在於先將獨立之晶片先置於晶片載板上，再利用環氧樹脂成型膠（Epoxy molding compound ，EMC ）填充 晶片周圍之空隙，透過充滿於晶片四周圍之高分子聚合物材料形成晶圓後，利用線路重新分佈（Redistribution Layer ，RDL ）將已經埋入晶片之接點扇出（Fan out ）連結至外圍，使其接點間距符合封裝基板（substrate ） 線路間距，達到線路連接的目的。 對於三維堆疊式架構則需再將高分子聚合材料透過鑽孔，將上下層線路導通連接，由於晶圓級構裝的 應用著眼於高密度互連線（High Density Interconnects ，HDI ） 電路板，再加上為了直接從一維結構扇出晶 圓級構裝製程改成三維架構，因此鑽孔類型採用盲孔方式加工後再進行後續製程預計會是較簡易快速的方 式，由而在鑽孔方式的選用便排除機械式鑽孔加工。 因高分子聚合材料對於不同波長雷射的吸收率皆不同，常使用於印刷電路板（Printed Circuit Board ， PCB ）與半導體封裝基板（substrate ）鑽孔的 CO2 雷射縱然有加工快速的優勢，其高熱能的加工特性易導致 基材鑽孔後嚴重翹曲變形的影響不適用於此，因為選用了低熱能的光源 Nd ：YAVO4 雷射為工具，來觀察其 對高分子聚合材料鑽孔的可行性，本研究將以 JMP 該軟體協助找出適合用於高分子聚合晶圓鑽盲孔的雷射 參數。 關鍵詞：雷射鑽孔、晶圓級構裝、fan out 。 1. 前 言 1.1 研究背景 二十世紀的重大發明之一就是雷射的發明，從 1960 年雷射裝置研發出來至今，目前雷射的種類與應用 發展也越來越多元，半導體相關產業的應用也非常多元，從各尺寸的晶圓的切割、晶體測試分級、TSV （Through Silicon Via ）的鑽孔製程、封裝產品的蓋印加工、印刷線路的成形，及印刷電路板 PCB （Print circuit board ）或半導體封裝基板（substrate ）使用雷射做為鑽孔工具也已經是司空見慣的，主要由於雷射特色是 可程式化的加工，面對不同加工圖形時，只需透過修改程式即可迅速達到轉換的目的執行加工，免除了傳 統加工需設計新治具所需等待的工時，還有因為各種不同雷射其波長特性也各有異，不同材料對於雷射光 波長的吸收率與反射率皆有不同，這反而可做為一個加工性能的選擇；不過在 EMC （Epoxy Molding Compound ）晶圓封裝（Wafer Level Packaging ，WLP ）做鑽孔則仍屬研究開發階段，原因在於扇出式晶圓 ©2007 National Kaohsiung University of Applied Sciences, ISSN 1813-3851 416 陳勇仁、林昭文 級構裝的材料特性與厚度均與現有電路基板不同，