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采用逆导型IGBT的新型3A600VDIP鄄IPM
第第4141 卷第卷第88 期期 力电子技术力电子技术 VVooll..4141 NNoo.8.8
年年88 月月 PPoowweerr EElleecctrtroonniicscs AAuugugustst
用逆导型IGBT 的新型3A/600V DIP IPM
1 1 2 2
K Satoh , T Iwagami , M Honsberg , E Thal
渊1.三菱电机功率器件制作所 日本 福冈曰 2.三菱电机功率器件制作所 德国冤
摘要院 三菱电机日前已开发出一种采用新型功率硅片技术的3A/600V 超小型双列直插式智能功率模块渊IPM 冤
即第4 代DIP鄄IPM遥 该技术将续流二极管的硅片集成到IGBT 硅片上 从而将模块内部的硅片数量减少了一半 使得
IPM 的可靠性更高 功率密 更大遥 在此 介绍了这种新技术以及3A/600V 第4 代DIP鄄IPM 的设计和特性遥
关键词院模块曰 电力半导体器件/逆导型绝缘栅双极晶体管曰 双列直插式智能功率模块
中图分类号院TN31/387 文献标识码院A 文章编号院1000原100X渊2007 冤08-0104-03
New 3A/600V DIP IPM with Reverse Conducting IGBT
K Satoh1 1 2 2
, T Iwagami , M Honsberg , E Thal
渊1.Mits ubis hi Electric Corp oration Power Dev ice Works Jap an 曰
2.Mits ubishi Electric Europ s B.V. Germany 冤
Abstract:A super mini Dual In鄄line Package Intelligent Power Module 渊DIP鄄IPM Ver.4 冤 with ratings of 3A/600V has
been developed by using a new power chip technology.As this new technology which integrates FWD 渊Free Wheeling
Diode冤 chip to IGBT chip in inverse parallel reduces a half of the power chip number in power module,this IPM makes
reliability higher and handling power capability larger at same package size.This paper presents this new technology the
design and the characteristics of the 3A DIP鄄IPM Ver.4.
Keywords 院module 曰 power semiconductor device/Dual In鄄line Package Intelligent Power Module 曰 Reverse Conduct鄄
ing鄄IGBT
1 引言
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