第七章(2学时).pptVIP

拒绝技 本章要求 熟练掌握半导体存储器的分类、特点； 熟练掌握半导体存储器的容量计算方法及扩展方法 （字扩展、位扩展）； 掌握半导体存储器实现组合逻辑函数的方法； 理解ROM、RAM存储单元的结构及工作原理。 1、腌膜ROM(固化ROM) E2 PROM存储单元的三种工作状态 2、字扩展 在存储器的数据位数满足要求而字数达不到要求时，需要字扩展。字数若增加，地址线需要做相应的增加。 字扩展方法：扩展后的低位地址线与所有存储器的地址线全部并联，高位地址线用来分别选通存储器芯片工作（一般用译码器）。 例2、 试用256×8RAM扩展成1024×8存储器。 解： 需用的256×4RAM芯片数为： N=总存储容量/一片存储容量= =4（片） 第七章 半导体存储器 第七章 半导体存储器 1、半导体存储器定义 2、分类 3、结构 4、存储容量： 1、腌膜ROM 2、可编程ROM(PROM) 3、可擦除的可编程ROM 四、用ROM实现组合逻辑函数原理及方法 一、概 述 二、存储器结构及原理 4、随机存储器种类、原理 三、存储器容量的扩展 ※对存储器的操作通常分为两类： 写——即把信息存入存储器的过程 读——即从存储器中取出信息的过程 ——半导体存储器是一种能存储大量二值数字信息的大规模集成电路，是现代数字系统特别是计算机中的重要组成部分。 按制造工艺来分： 半导体存储器 双极型 MOS型 一、概 述 1、定义： 2、分类： 半导体 存储器 ROM EPROM 快闪存储器 PROM E2PROM 按使用的功能来分： 固定ROM（又称掩膜ROM） 可编程ROM RAM SRAM DRAM (Static) (Dynamic) 二极管ROM 三极管ROM MOS管ROM 地 址 译 码 器 W 0 W 1 W 2 - 1 n A 0 A 1 A n ￡- 1 … … 存储矩阵 输出缓冲器 D m －1 D 0 三态控制 … … ◆ 地址译码器 将输入的地址代码译成相应的控制信号，用它从存储矩阵中将指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器。 ◆ 输出缓冲器 一是能提高存储器的带负载能力，二是实现对输出状态的三态控制，以便与系统的总线连接。 ◆ 存储矩阵 存储矩阵由许多存储单元排列而成 3、ROM的结构 …… 存储矩阵： …… …… …… …… 信息单元 (字) 存储单元 W0 W1 W2 W2n-1 字线 D0 Dm-1 Dm-2 位线 （数据线） …… …… 2n m 存储单元可以用二极管、双极型三极管或MOS管构成。每个单元能存放1位二值代码（1或0） 信息单元有一个对应的地址代码 字长：一个字中所含二进制数的位数。 存储器的容量 = 字数（ 2n ） ×字长（m ） 例如：2048*8表示这个ROM有2048个字，每个字的字长是8位。 例如：一个10位地址码、8位输出的ROM，其存储矩阵的容量为: 2、某存储器芯片的容量为32K×8位，则其地址线和数据线的根数分别为 ( )。 1、存储容量为8 K×8位的ROM存储器，其地址线为( )条、数据线有（ ）条。 　　　　　　 　　　　　　 练习： 210X8=1024X8=1kX8 13 15、8 字：若干个二进制存储单元构成一个字。 4、存储容量： 8 采用腌膜工艺制作ROM时，其存储的数据是由制作过程中的 腌膜板决定的。这种腌膜板是按照用户的要求而专门设计的。因 此，腌膜ROM在出厂是内部存储的数据就“固化”在里面了，使用 时无法再更改。 （1） 基本构成 主要由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三部分组成。 二、存储器结构及原理、特点 地址代码：A1A0，给出4个不同的地址。 地址译码器将这4个地址代码分别译成W0～W3 上的高电平信号 当W0～W3每根线上给出高电平信号时，都会在D3～D0 4根线上输出一个4位代码。 字线和位线的每个交叉点代表一个存储单元，交叉处接有二极管的单元，表示存储数据为“1”，无二极管的单元表示存储数据为“0”。交叉点的数目也就是存储单元数。 二极管与门 二极管或门 数据表 若：将输入地址A1A0视为输入变量，而将D3、D2、D1、D0视为一组输出逻辑变量，则D3、D2、D1、 D0就是A1、A0的一组逻辑函数。 ROM的阵列框图 ROM的阵列图 W 0 W 1 W 2 W 3 D 3 D 2 D 1 D 0 1 A 1 A 0 1 与