二极管和晶体管的.pptVIP

第14章 二极管和晶体管;第14章 二极管和晶体管; 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。;电子系统; 1．第一代电子器件——电子管 1906年，福雷斯特（Lee De Fordst）等发明了电子管，是电子学发展史上第一个里程碑。用电子管可实现整流、稳压、检波、放大、振荡、变频、调制等多种功能电路。 电子管体积大、重量重、寿命短、耗电大。世界上第一台计算机用1.8万只电子管，占地170m2，重30t，耗电150kW。;2．第二代电子器件——晶体管 1948年，肖克利（W.Shckly）等发明了半导体三极管，其性能明显优于电子管，从而大大促进了电子技术的应用与发展。晶体管的发明是电子学历史上的第二个里程碑。 尽管晶体管在体积、重量等方面性能优于电子管，但由成百上千只晶体管和其他元件组成的分立电路体积大、焊点多，可靠性差。;3．第三代电子器件——集成电路 1958年，基尔白等提出将管子、元件和线路集成封装在一起的设想，三年后，集成电路实现了商品化。 当前，单个芯片可集成器件成千上万个，例如，CPU芯片P6内部就封装了550万只晶体管。集成电路的发展促进了电子学、特别是数字电路和微型计算机的发展，人类社会开始迈进信息时代。 集成电路按集成度可分作 (1)小规模集成电路（SSI）＜102 (2)中规模集成电路（MSI）＜103 (3)大规模集成电路（LSI）＜105 (4)超大规模集成电路(VLSI)＞105 当前，微电子已成为最具有发展前途的产业，微电子技术水平已成为衡量一个国家技术水平的重要标志。;三、若干蓬勃发展的研究方向;微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS);放大电路的基础知识;14.1 半导体的导电特性;半导体的导电特性：;+;导带 ;14.1.1 本征半导体(intrinsic semiconductor) ;14.1.1 本征半导体(intrinsic semiconductor) ; Si;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.; 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。;本征半导体的导电机理;半导体材料的特性：;14.1.2 N型半导体和 P 型半导体;14.1.2 N型半导体和 P 型半导体; 杂质对半导体 导电性的影响; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。; 半导体内部载流子的运动 （1）. 载流子的飘移运动：载流子在电场作用下有规律的运动称为“飘移运动”所形成的电流称为飘移电流。 （2）. 载流子的扩散运动：载流子由浓度高的地方向浓度低的地方扩散产生的运动称为“扩散运动”所形成的电流称为扩散电流。;14.2 PN结及其单向导电性(PN junction);14.2.2 PN结的单向导电性;2. PN 结加反向电压（反向偏置）;PN 结变宽;14.3 二极管(diode) ;阴极引线;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;14.3.2 伏安特性;14.3.3 主要参数;型号命名规则;部分国产半导体高频二极管参数表;二极管的单向导电性; 二极管电路分析举例 ;电路如图，求：UAB;两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8