SOI晶片制造技术及其应用前景.pdfVIP

半导体技术990301 半导体技术 Semiconductor Technolog 1999年　第3期　第24卷　Vol.24　 No.3 1999 SOI晶片制造技术及其应用前景 任学民 　　摘要　介绍了近年来国外SOI晶片制造技术的进展及SOI晶片在ULSI方面的应用情 况。 　　关键词　SOI晶片　晶片键合技术 of SOI Wafers and Its Applications Ren Xuemin 　　Abstract in ULSI is presented 　　Key words　SOI wafers　Wafer bonding technology 1　引　言 　　在今后十年里，便携式电子产品(如个人通信机、蜂窝电话、亚笔记本电脑、 PDA、电子医疗器械等)以其小型化、低重量、低电压、低功耗、无需制冷等优点而备 受青睐，有望成为发展最快的电子产品门类。据报道，1993年，低压、低功耗IC在整 个IC市场所占份额仅为4％，而到1998年，低压、低功耗IC将占整个IC市场的40％ ［1］ ，这些电子产品对IC芯片(如DRAM、SRAM、DSP、μP等)的要求是低压(电源电 压为1V或更低)、低功耗(小于100mW)、高性能。尽管按等比缩小的CMOS工艺以集成 度高、功耗最低、成本最低被认为是实现上述要求的最佳工艺，但是最近研究表明， 当电源电压低于1V时，普通体硅CMOS电路速度剧减，这是因为当降低阈值电压时， 很难做到不使器件电流驱动性能下降和不增大静态泄漏电流。加之，器件驱动性能的 下降因器件寄生效应(如源、漏间结电容)、内层互连布线和结电容的增加而显得更为 ［2，3］ 严重 。因此，为了实现CMOS芯片的高速、低功耗，必须在以下几个方面进行 技术上的革新，如更新IC设计，采用新型材料(如SOI、低介电介质)，低阻金属(Cu)互 连。更新体硅IC设计必将增加电路的复杂性，从而增加IC制造成本。因此，除了在改 进IC设计和优化工艺方面下功夫以外，更应着重寻找新材料与新结构的器件。 　　所谓SOI就是指具有在一绝缘衬底上再生长一层单晶硅薄膜，或者是单晶硅薄膜被 一绝缘层(通常是SiO)从支撑的硅衬底中分开这样结构的材料。SOI结构材料早就被认 2 为是制造MOS晶体管的理想衬底材料。1963年在蓝宝石上异质外延生长出单晶硅薄膜 file:///E|/qk/bdtjs/bdtj99/bdtj9903/990301.htm（第 1／11 页）2010-3-22 15:16:29 半导体技术990301 (称为SOS材料)，制作出SOS CMOS电路，用于卫星系统。当时开发研制SOI材料的主 要动机是制作用于空间军事用途的抗辐射集成电路。冷战结束后，SOI技术转为商用， 在商用芯片高速、低压、低功耗需求的日益驱动下，特别是近几年SOI晶片制造技术取 得了突飞猛进的进步，使得它已成为制造低压、低功耗芯片的关键技术，在IC制造中 正在占据举足轻重的地位。 ［2］ 　　图1是低功耗驱动路径与常规高速度驱动的SIA路径比较趋势图 。从图中可 见，在实现低功耗手段方面，低功耗路径与SIA路径相比有很大不同。在初期，低功耗 路径主要是通过技术创新(而不是借助减小工艺特征尺寸)来降低电压以实现低功耗 的，而进一步减小工艺特征尺寸将使芯片运行速度更快。从逻辑上讲，低功耗技术将 与半导体工业驱动的DRAM制造技术协调发展。美、日等发达国家的制造商们正在大 力开展这方面的研究，以抢占这一高技术产品的市场。 图1　低压/低功耗CMOS电路实现路径 本文就SOI材料制造技术发展、应用及生产情况做一介绍。 2　SOI是低压、低功耗IC的理想衬底材料 　　美、日等国的IC制造商研究表明，SOI衬底在提高IC性能(高速、低功耗、可靠