国际半导体技术发展路线图2008年更新版综述五教案.pdfVIP

国际半导体技术发展路线图 2008年更新版综述【五) 王洪波译 3．11装配和封装 订，以反映siP和系统互连中加入的光学互连。 三维电子器件的快速发展，系统级封装(SiP) ●由于认识到不同的光电应用具有不同的封装 thaJl 挑战，因此表APl6已经根据应用分节。 和其它帮助实现“More Moore”的新技术，导致 了路线图中“装配和封装”的加速发展。在2009版 ●表APl0正在经历重大的修订，这将在2009 ITRS中，将增加或扩展几节新的内容，以应对这些版ITRS中加入。 新兴的技术。这些新内容在2008年的表格更新中进 ●表AP21：增加了汽车电子工作环境规范。这 行了初步的讨论。 个材料在2007年进行了处理，但是随着电动汽车和 主要的变化包括： 混合动力汽车中电子器件的不断增加，需要有带有 ●片上的光学互连和SiP内部的芯片间互连， 数值的技术需求表。这个内容将在2009版ITRs中 在2011年作为量产技术加入。 进行大幅度的扩展。 ●对表AP3和AP4中进行了修改，以反映专门 在2008年的“装配和封装”技术需求表中，进 技术的键合节距的变化。在某些情况下，是受需求的 行了大量的微小的修订。在这一版的更新中发现的 推动而不是能力的推动。 ●加入了一个新的技术需求表，表AP4b，以应修订相关。在2009版中，将加入对材料、工艺和设计 对与翘曲相关的日益严重的问题，及其对装配的影 变动的更加详细的讨论，以应对3D电子器件和 响。 “MoremanMoore”时代的功能多样化需求。 ●表AP5a、AP5b和AP5c进行了修改，以进一 步澄清路线图的聚合体封装基板和某些高温器件类 3．12环境、安全和保健 型使用的玻璃一陶瓷基板路线图之间的区别。 在2008版rms更新中，“环境、安全和挑战” ●表AP9进行了重构，以提供对替代2007版一章的主要关注焦点是更新路线图的能量和水资源 技术需求表的定性的信息。 节约的需求。使用修订的数据和分析模型，这些领域 ●对表APl0进行了修改以提供更加详细的细 节，并根据主要的工艺类型分成几节。 的(满足一个目标有可能会影响另一个目标)。从分 ●对表APll进行了修改，加入了元件尺寸、再析中也可发现，水和能量的使用是相关的，因此必须 流焊温度和其它为满足SiP要求而改变的参数。 要有具体数值来反映这种相关性。 ●在表APl5中加入了有源光缆。这个表及相 现场耗水量减少的目标需求是为了保证依赖于 关的文字内容将在2009版ITRS中进行重大的修这个资源的半导体工业的可持续发展。2008年的更 万方数据 h．．^，^……^；Ⅲ… 表APl．装配和封装的挑战 ≥22nm的困难和挑战 问题的总结 BEOL的影响，包括Cu／·对钢的“接引线键合，或改进的阻挡层系统可与cu键合的焊凸压焊块；·对带有超 低K对封装的影响 低x介质的电路的划片技术；·焊l-_和底郜填充技术以保证低x介质完整性，包括无 铅焊料焊，-1系统；·介质材料的改善的断裂强度；·界晴f附着性：·第一级的带有低 K介质的一：连的“T靠性；·需要开发测肇天键特性的机制：·探测铜／低x的性能。 晶圆级封装 ·高引脚数小管芯的I／O节距； ·焊料特点可靠性和对低支架封装的清洁工艺；·品 圆减溥和处理技术：·简化的ESD结构；·人管芯的TCE失配的补