2013晶体学第八章.pptVIP

第八章 晶体对X射线的衍射方向 8.1 X射线 (0.01~10 nm 的电磁波)的发射和吸收 8.1.1 发射 Electrons X-Rays -ve Charge +ve charge Copper Anode Evacuated Envelope Heated tungsten filament cathode white radiation h?max = hc/λmin = eV 加速电压以伏特为单位, 波长以 nm 为单位, 则 λmin = 1239.8/V and characteristic radiation 原子光谱选律: ?S= 0, ?L = ?1, ?J = 0, ?1 8.1.2 吸收 dI = -μI dl, I = I0 e -μl μ: linear absorption coefficient μm : mass absorption coefficient 对于化合物 ?m = ∑i gi (?m)i gi为化合物中第 i 种元素的质量分数, (μm)i 为第 i 种元素处于单质态时的质量吸收系数。 引入质量吸收系数的便利在于它的加和性, 通过易测的晶体密度ρ, 计算线吸收系数μ。 连续波段, 有 ?m ∝λ3 Z3 在某些波长, 吸收曲线陡直上升, 这些波长称为 吸收限或吸收边 (absorption edge)。 滤光片: Ni 的 K 吸收限为 λ= 0.1488 nm, 位于 Cu 的 K? 线与 Kβ 线之间, Ni 滤光片可让 Cu 的 K? 线通过而使 Kβ 线减弱, 还使白色 X 辐射减弱。 K? Kottke Stalke, J. Appl. Cryst. (1993), 26, 615 8.2 晶体点阵对X射线的衍射方向 衍射方向: X 射线衍射强度极大值的方向 若散射光在 ? h 方向干涉加强出现极大值, 光程差应为波长的整数倍, a(cos?h - cos?0) = h? 或 a . (S-S0) = h? S 8.2.1 Laue 方程 Laue 方程组中的一组整数 hkl 表征了一个衍射方向, 称为 diffraction indices / reflection indices。 若衍射指标 hkl 有公因子n, 则 hkl = n(h1k1l1), (h1k1l1) 是一组互质整数。 分别乘以 u, v, w, 并相加, (ua + vb + wc).(S-S0) = Ruvw.(S-S0) = (uh + vk + wl)? 另一方面, Ruvw . Hhkl = (uh + vk + wl) S-S0 = ? Hhkl 即 Laue 方程在倒易空间中的表达式。 每一衍射点对应一倒易点阵点 衍射指标 hkl 即倒易点阵点的坐标 (h, k, l)。 而 (h, k, l) = n (h1 , k1 , l1) 对应于正空间一族晶面 (h1k1l1) 。 晶面族(hkl) 的法向量为 Hhkl=ha*+kb*+lc* S-S0 = ? Hhkl 意义:衍射方向上, 衍射波矢与入射波矢之差 (S-S0)/? 等于倒易点阵空间的某一位矢 Hhkl。 每一衍射点对应一倒易点阵点 晶体的衍射指标 hkl 即倒易点阵点的坐标 (h, k, l)。 8.2.1 Bragg 方程 晶体对 X 射线的某一衍射 hkl, 可看做法线方向为 Hhkl = ha* + kb* + lc* = n(h1a* + k1b* + l1c*) = n H1 的晶面族(h1k1l1) 对 X 的反射 (S-S0) = ? Hhkl (h1k1l1) 的一级衍射为 2dh1k1l1 sin?1 = ? Hhkl的长度等于(hkl) 的面间距的倒数 S-S0 = ? Hhkl 2dsin? = n? S-S0 = ? Hhkl 2dsin? = n? Bragg 反射: 对于一个给定的入射方向 S0 和测定的衍射方向 S, 存在一族晶面 (h1k1l1), 对于 S0 和 S 构成反射面, 入射角与反射角相等 . 在满足 Laue方程的衍射方向上, 三维点阵中任意两个点阵点的光程差均为 ? 的整数倍, 所有点阵点