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绝热式渐次充电技术在CMOS电路中应用 　　摘 要： 随着集成电路技术的不断发展，功耗带来的挑战也日益突出，因此各种节能方法被不断地提出。基于以上所提及的功耗问题，提出一种绝热式渐次充电技术，它能够有效地降低CMOS电路中的能量损耗，达到节能的目的，同时还能降低电路中信号传播时延。这种绝热式渐次充电驱动器是由若干电容、直流电源和相关MOSFET组成的，在这种电路中，渐次式电压的产生几乎不消耗能量。为了凸显该技术的优势，将这种方法与传统的变化电压降低功耗的方法进行比较，经过最终的仿真对比发现该技术比传统的变化电压节能方法在能耗上大幅度降低，与此同时电路中信号传播时延也相应地得以降低 关键词： 节能； CMOS电路； 绝热式渐次充电； 传播时延 中图分类号： TN433?34； TN710.2 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2017）10?0138?04 Abstract： With the development of integrated circuit technology， the challenge brought by power dissipation has become more prominent， and many power?efficient methods have been proposed. Since the situation exists， an adiabatic stepwise charging technique is put forward in this paper， which can effectively reduce power dissipation in CMOS circuit to achieve the goal of energy conservation and can also reduce time delay of signal propagation in circuit. This adiabatic stepwise charging driver is composed of some capacitors， DC power supply and related MOSFET. The stepwise voltage hardly consumes energy in this circuit. In order to highlight the advantages of the technology， this method is compared with the traditional one. The simulation results show this technology can reduce energy dissipation more than the traditional methods， and decrease the time delay of signal propagation in circuit. Keywords： energy conservation； CMOS circuit； adiabatic stepwise charging； propagation delay 0 引 言 随着电子技术进入“功耗限制”时代，一种基于CMOS电路的绝热式充电技术被用来研究功率损耗的问题[1]。对于一般的CMOS电路而言，电路中的电容在充电过程中会消耗巨大的能量。例如一个电容C在恒定电压源VDD下充电，那么这个电容能够储存的静态电能为[CV2DD2]，同时该电路中电阻上的功率损耗也是[CV2DD2]，这时就可通过改变电源电压来降低功耗。然而在绝热式充电电路中，电容C通过充电过程储存静态电能时电路中的电阻不会消耗任何能量，这就是绝热式充电电路的优点。随着集成电路的发展趋于密集型，绝热式充电技术的使用越来越广泛 为了更加有效地降低电路中的功耗，一种有别于以前的绝热式充电技术被提了出来。在以往的绝热式电路中，其支路上的电容必须比负载电容大得多，这是因为电容器必须是以恒定电压进行充电或者放电过程，因此电路中动态损耗就会增加。该绝热式充电技术结合了渐次充电电压产生电路，通过利用平衡电容器来达到平衡节点电压的目的。为了达到这个目的，有必要在改变电容器两端初始电压之前去检测绝热式渐次充电电路的稳定性 1 功率损耗分析和变化电压节能法 在CMOS电路中的功率损耗主要包括动态能量损耗，静态能量损耗和短路电流损耗等，这些功耗在CMOS电路中的分布如图1所示[2] 在实际生产工作中，有许多方法可以解决电路中的高功耗问题，通过调节电路中的电源电压是最为普遍的