电力电子器件思考题.ppt

* 《电力电子器件基础》 复习思考题 第二章 思考题 1. 为什么电子迁移率高于空穴迁移率? 2. 为什么锗(Ge)管收音机在环境温度稍高时不能 正常工作? 3. 硅PN结接触电势差为0.7 V,能否用万 用表象测 电池那样测出该值? 为什么? 4.为什么反偏PN结的漏电流不大且有一个饱和值? 5. 为什么PN结能作为整流用? 6. 为什么正偏PN结压降不随正向电流成比例 增长? PN结 正向压降大小决定于什么? 7. P+N结雪崩击穿发生在P侧还是N侧? 为何N 区浓度上升, 击穿电压UB下降? 8. PN结加反向电压时有无扩散电容效应? 为什么要用微分电容来衡量PN结电容? 第三章 思考题 1. 为什么不能用负斜角做P+N结的终端造型? 2. 正向特性好的PN结二极管,其反向特性一般 较差,为什么? 3. 决定PN结二极管的tr r因素有器件内因与电路 外因两类,分别是什么?如何影响tr r的大小? 4. 为什么PN结二极管做高频整流时常需并联 RC缓冲电路(SNNUBER)? 5. 记住PN结二极管反向恢复I－V特性的各个 特征点,并弄清各点的器件的物理意义 6 .为什么高频电力电子电路常选用快、软、正 向特性好的二极管? 7. 肖特基二极管的优缺点是什么? 8. 解释双极晶体管的电流放大倍数与基区宽度成 反比敏感变化的现象. 9. 双极晶体管的BUceo,BUcer,BUces, BUcex, Bucbo 的定义及其大小次序? 10. 双极晶体管的的三种工作状态及集电结、发射 结的偏置状态? 11.JFET(N沟)结构与工作原理?MOSFET(N沟增强) 结构与工作原理? 第四章 思考题 1.晶闸管为什么能做高压大电流电能变换器件?在 变流应用时,晶闸管主要有什么缺点不足? 2.普通晶闸管有哪几种触发导通方式?有哪几种 关断方式? 3. 什么是晶闸管的双晶体管等效电路模型?可得出 什么结论?表明什么物理意义? 4.掌握理解晶闸管门极触发特性(伏安特性图)的各 区域含义. 5.晶闸管的di/dt耐量的物理意义极其与晶闸管结构 、门极触发与负载性质的关系. 6.晶闸管的dv/dt耐量的物理意义？超过此耐量 有什么后果？如何在器件结构和外电路上提 高dv/dt耐量？ 7.什么是快速(高频)晶闸管?有何特点? 8.为什么逆导晶闸管容易做高压大电流快速( 高频)晶闸管? 9.理解掌握TRIAC的四种门极触发方式及其基 本原理. 10.晶闸管并联时,有几种引起电流不平衡的原 因?如何抑制改善? 第五章 思考题 1. GTR的结构特点是什么?为什么要这样做? 2. 什么是GTR的二次击穿?有什么后果?如何 解释二次击穿现象? 3.如何在应用上采取措施避免GTR发生二次 击穿? 4.GTR的SOA含义?如何得到GTR高温时的 SOA? 5.在GTO开关应用时,若GTO的阳极电流超过其 最大可关断电流时,会发生什么现象?为什么会 这样? 6.GTO的主要优缺点是什么? 7.为什么GTO不好使用并且容易烧毁? 第六章 思考题 1. N沟VDMOS的基本结构?工作原理?VDMOS 有什么优缺点? 2. 为什么VDMOS开关应用时,电流分布很均匀? 3. VDMOS的RDS与其击穿电压、结温的关系? 4. VDMOS的体二极管可以做续流二极管(FWD)吗? 为什么? 5. VDMOS结构内会发生二次击穿吗?为什么? 6. VDMOS最大允许用ID与RDS、Tj、R?、的关系? 7. VDMOS的栅源之间为什么容易被击穿? 如何防护? 8. VDMOS的栅电荷曲线的物理意义? 9. VDMOS的dv/dt误导通原因? 10. VDMOS的dv/dt诱发二次击穿原因? 11. VDMOS为什么容易并联?在并联时,应该注意 追求各个器件的均流性好?还是热耦合性好? 12. 在感性负载下,为什么VDMOS容易发生二次 击穿?如何抑制防护? 13. VDMOS为何采用多元胞并联结构?与GTR、 GTO的多元胞结构有什么区别? 14. 为什么