电容式TP前段制程教材PhotoEtching process introduction--9-22.ppt

Photo/Etching 製程簡介 蝕刻目的: 經過顯影后的基板,利用相對應的化學試劑將裸露在表面的材料移除掉,以達到設計需求的pattern. 蝕刻輪廓: Stripper目的: 將未被曝過光的光阻移除掉,從而得出設計所需要的pattern. Stripper 原理: Confidential TFTTPD/ENG/PEN Outline : Photo/Etching Process Flow Photo基本製程原理 Etching基本製程原理 Double side ITO Sputter ---B line Touch panel 電容段製造流程 Glass ITO SiO2 PF ITO Metal SiO2 Organic PF Sensor Side Drive Side Drive side ITO Photo/Etch ---D line Sensor side ITO Photo/Etch ---E line Drive side metal Sputter ---A line Drive side metal Photo/Etch--- C line Double side SiO2 Sputter ----F line Double side SiO2 Etch ----G line Drive side Organic film Etch A ITO first - flow B C D E F G H 鍍膜(sputter) 光罩(reticle) 上光阻(coater) 顯影(developer) 顯影 液 對準,曝光(proximity) 蝕刻(etch) 去光阻液 stripper 去光阻 酸, 氣體 鍍 下 一 層 膜 TP 電容段製造流程圖示---Photo/Etch Photo 流程 Thin film 烘烤(prebake) 塗佈 AP Plasma 清洗 Coater CD/Overlay measurement 硬烤 顯影 曝光 Defect inspection Etch Proximity Developer AOI ADI PR Coater前清洗 目的：光阻塗佈前清洗 描述 : 目的：去除清洗後玻璃基板上所殘留的particle/有機物 Brush BJ HP Final Rinse AirPlasma AirKnife 1. Roll brush 利用毛刷清潔基板表面particle.50um 2. BJ shower 利用二流體噴淋基板表面,去除particle. 5~50um 3. HP 利用高壓純水清潔基板表面 4. Final rinse 利用純水清洗基板表面. 5. Air knife 利用風刀吹乾基板表面. 6. Air Plasma 利用空氣被高電壓衝擊離解成的各種離子,來清潔基板表面的有機物. 基板流向 光阻Coating的方法 滾筒式塗佈 轉印輪 玻璃基板 光阻劑 移動方向 PR Coating 目的 : 將光阻均勻的塗佈在基板上 方法 : 滾筒式塗佈(Roller Coating) 厚度 : Thickness : 2.0um ±10% Uniformity : ≦ 10.0 % 光阻種類 曝光 Resist Glass substrate Thin film 顯影 正光阻 負光阻 蝕刻 / 去光阻 Pre-Bake(預烤) 去除玻璃基板表面的水氣或光阻內的溶劑 三種烘烤方法: 一.熱空氣加熱(熱對流) 二.紅外線加熱(熱輻射) 三.平板加熱式(熱傳導) Glass Resist Glass Glass Hot Plate 熱空氣加熱 紅外線加熱 平板加熱式 AD (Adhesion Promoter) 目的 : 在加熱製程中驅除光阻內部大部分溶劑,並將光阻從液態 轉為固態,增加光阻與基板表面間的附著力,避免造成光阻因附 著力不好而有剝落的情形發生 原理 : O Si OH - n NH3 Low contact angle high surface energy high contact angle low surface energy Si OH NH (H3C)3Si Si(CH3