MOCVD反应腔中蓝宝石片温度均匀性研究.pdfVIP

基础科学 Basic Science MOCVD反应腔中蓝宝石片温度均匀性研究 潘建秋 1，2， 甘志银1，2，植成杨1，2 1.华中科技大学机械科学与工程学院，湖北武汉 430074 2.广东昭信半导体装备制造有限公司，广东佛山 528251 摘 要 蓝宝石片高温翘曲且半透明，本文利用Comsol Multiphysics流体与传热模块耦合的有限元方法对本公 司和另一常见 MOCVD 反应腔体和加热器进行高温环境的稳态建模，考虑了翘曲导致的导热不均匀以及耦合了参与 介质的辐射。研究了蓝宝石片表面的温度稳态情况，评估了不同腔体和加热器结构温度均匀性在 ±1K 以内的均温 效果。 关 键 词 MOCVD；有限元模拟；蓝宝石衬底；温度均匀性 中图分类号 O613 文献标识码 A 文章编号 1674-6708（2013）83-0108-03 0 引言 项目 规格 项目 规格 项目 规格 随着金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 国产产业化的步 材料 高纯单晶 Al O 表面平整度 ≦ 10µm 热导率 7.7W/m/K 伐的推进 ，MOCVD 设备越来越向着单炉产量扩大的方向发展 ， 2 3 （1050℃） 这就要求单炉所能承载的蓝宝石片数量增多或者尺寸的增大。 晶格 a=4.785Å 弯曲度 ≦ 15µm 折射率 no=1.768 由于良好的温度均匀性是 MOCVD 外延薄膜少缺陷生长的关键 常数 c=12.991Å ne =1.760 因素之一 [1] ，故关于反应腔中温度分布的研究 ，从仿真到实验 ， 直径 50.8±0.15mm 翘曲度 -10 ~ 0 µm 透光 T ≈ 80% 从小尺寸到大尺寸都进行过充分的研究 [1-3] ，目前关注的重点 特性 （0.3-5µm） 在于石墨盘表面温度的控制。但关于直接影响外延生长的蓝宝 厚度 430±15 µm 表面粗糙度 Ra ≦ 0.3nm 熔点 2045℃ 石衬底表面温度的研究报道尚未发现。同时 ，工艺工程师凭 表 1 2 英寸蓝宝石片技术参数（来自台湾中美矽晶制品制品股 经验分析 ，石墨盘表面温度与蓝宝石衬底温度有 20℃的温差 ， 份有限公司） 此评估急需验证。 由于蓝宝石片存在尺寸上的偏差、弯曲和翘曲 ，将影响温 由于 MOCVD 中石墨盘和蓝宝石衬底上温度的测定是靠在 度的分布 ，同时由于其具有透光性 ，属于参与性介质的传热模 线测试仪测定 ，且目前测温结果是多点的平均值 ，并未区分石 型。 墨盘和蓝宝石衬底 ，故实验的方法暂时无法验证。然而 ，已经 1.2 参与介质的