使用90nmCMOS制程设计一转换增益24.6±1.5dB、杂讯指数5.6±0.8.PDF

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使用90nmCMOS制程设计一转换增益24.6±1.5dB、杂讯指数5.6±0.8

90 nm CMOS24.6 1.5 d B 5.6 0.8 dB34.4mW58~66GHz NANO COMMUNICATION 22 No.3 25 9 0 n m C M O S 24. 6 1.5 d B 5. 6 0.8 d B34.4mW 58~66GHz A 34.4 mW 58~66 GHz Receiver Front-End with 24.6 1.5 dB Conversion Gain and 5.6 0.8 dB Noise Figure in 90 nm CMOS 90 nm CMOS 60GHz (LNA) RF (ST D) LO 34.4mW LO- RF 60.7dB LO- IF 45.3d B RF-IF 41.9d B RF 64GHz 60GHz 26.1dB 25.2dB 3dB 7.3dB(58.4GHz~65.7GHz) 5.6dB 60GHz 1dB (P1dB-in) (IIP3) -33.1dBm -23.3dBm 60GHz Abstract A 60-G Hz receiver f ront-end using standard 90-nm CMOS technology is reported. T he receiver f ront-end comprises a wideband low-noise amplier (LNA), and a double-balanced Gilbert cell mixer wit h a current- re used RF sing le-to-die re nt ia l (ST D) co nve rte r, an LO Ma rc ha nd bal un a nd a baseba nd amp lie r. T he receiver f ront-end consumes 34.4 mW and achieves LO- RF isolation of 60.7 dB, LO- IF isolat ion of 45.3 dB and RF-IF isolation of 41.9 dB at RF of 60 GHz and LO of 59.9 GHz. At IF of 0.1 GHz, t he receiver f ront-end achieves max imum conversion gain (CG) of 26.1 dB at RF of 64 GHz and CG of 25.2 dB at RF of 60 GHz. T he co rresponding 3-dB ba ndwidt h of RF is 7.3 G Hz (58.4 G Hz to 65.7 G Hz) . T he meas ured minimum noise gure was 5.6 dB at 64 GHz, one of the best results ever reported for a 60 GHz CMOS receiver f ront-end. In addition, the measured input 1-dB compression point and input t hird-order inter-

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