2008实验提案ht7协同下逃逸行为云南师范大学.pptVIP

陈忠勇 云南师范大学 chenzy1003@163.com Outline Motivation Latest experimental results in HT-7 Experimental scenario 探索高参数先进运行模式是当今托卡马克物理研究的重点之一。利用低杂波与离子波恩坦波协同效应是HT7托卡马克上探索高参数先进运行模式的主要手段。理解逃逸电子的产生机制以及探索有效的逃逸抑制方案也是目前托卡马克等离子体物理研究的热点之一。在低杂波与离子波恩斯坦波协同效应下，快电子尾部具有更高的能量。这些快电子尾部的能量接近逃逸的阈值，在一定条件下转化为逃逸电子，引发强的逃逸分布，从而影响等离子体品质以及装置的安全运行。本提案拟探索低杂波与离子波恩斯坦波协同效应下逃逸电子的产生机制、逃逸电子的约束行为以及逃逸电子与波的相互作用，为优化高参数先进运行模式提供一定的物理基础，也为逃逸电子的能量控制提供一定的参考。 Motivation 波驱动下逃逸的产生 低杂波通过朗道阻尼作用产生大量的共振快电子，其能量在几十到上百keV。由于准线性扩散会增强共振电子在速度空间的扩散，部分快电子跨过逃逸的速度阈值，从而产生逃逸电子。 在两波的协同下，快电子被进一步加速，获得更高的能量。这些快电子接近逃逸阈值，成为逃逸电子的“种子”电子，诱发逃逸。 N. J. Fisch , Rev. Mod. Phys. 59 (1987) 175. F. Paoletti, et al., Phys. Plasma 6 (1999) 863. A. Cardinali, et al., Nucl. Fusion 42 (2002) 427. 研究基础: LHCD中的逃逸行为 Plasma Phys. Control. Fusion 48 (2006) 1489 LHCD+IBW下的逃逸行为 Plasma Phys. Control. Fusion 50 (2008) 015001 LHCD下的逃逸行为 H W Lu 正在进行更详细的实验研究 LHCD+IBW LHCD only 在LHCD target 中逃逸分布比较弱，当加入IBW后，逃逸增强。 IBW引起ne、Zeff增加，导致等离子体环电压Vl上升。增强的原因? Experimental scenario 等离子体参数:Ip=100kA, ne=1*1019m-3 (1) 低杂波嵌套在IBW中, (2) IBW嵌套在低杂波中 对逃逸产额的影响. LHCD＋IBW(27M), (a)IBW global 加热模式与(b)IBW离轴加热模式对逃逸产额的影响. LHCD下,用密度爬升代替IBW引起的密度(环电压)增加,研究协同实验中逃逸增强是否是由等离子体密度/环电压增加而引起的. 需要诊断:ECE, HXR, IR, Neutron 主要跟在协同实验后面,另外申请4个小时补充数据 感谢高老师、胡老师、凌老师、万老师以及各位老师、领导们的支持！感谢HT-7 Team! ? HT-7tokamak不同纵场(A)、频率(MHz)时的2?D共振层位置(cm) It(A)? fIBW 3600 3800 4000 4200 30 -18 -12.5 -6.7 -0.9 27 -6.7 -0.3 6.1 12.5 24 7.7 15 22.1 29.3 *