第二十八讲“长的”金属－氧化物－半导体场效应晶体管（续）主要问题.PDF

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 第二十八讲 “长的”金属－氧化物－半导体场效应 体管 （续） 11 8 2002 月 ， 内容： 1. 理想MOSFET 的电流电压特性（续） 2. 亚阈区 阅读作业： Tsividis， h. 4 ，§4.6； h. 5 ，§5.2 主要问题 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo  在饱和区MOSFET 的电流并没有完全饱和，为什么？  在亚阈区载流子传输的物理机制是什么？  决定亚阈电流的主要因素是什么？  为什么亚阈电流很重要？ 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. 理想MOSFET的电流电压特性 （续） □ 沟道长度调整 V V 对 DS DSsat ，耗尽区在沟道的漏端扩展： V − V 随着 DS DSsat ： 有效沟道长度缩短：L ∆ L L I 沟道中横向电场 D ：不完全饱和 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 模拟∆ L 需要解2D静电问题。 大致的1D模型（参见Tsividis，§5.2，但不要过分认真）。 主要结果（与2D计算机模拟一致）： ε 这里 p 能从计算机模拟中提取。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 因为： 那么，沟道长度调整意味着： 因此， 新项的特点：  V = V 对 DS DSsat 时变为零 − 1  L ：长沟道器件受沟道长度调制的影响较小  在饱和区I D 的斜率 I DSsat ： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo ε L V 和BJT类似， p 通常指Early 电压， A 。 重要的结果： gd I Dsat L W 对一个给定的技术， 只取决于