负偏压对六方氮化硼薄膜沉积特性的影响-武汉科技大学学报.PDF

第 卷第 期 武 汉 科 技 大 学 学 报 , 38 5 Vol.38No.5 年 月 2015 10 JournalofWuhanUniversitofScienceandTechnolo Oct.2015 y gy 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 负偏压对六方氮化硼薄膜沉积特性的影响 1 1 2 1 1 1 , , , , , 龚 甜 吴 隽 李涛涛 龙晓阳 祝柏林 祁 婷 ( , , ; 1.武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室 湖北 武汉 430081 , , ) 2.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 江苏 苏州 215123 : ( ) ( ), 、 、 、 摘要 利用射频磁控溅射法在 型 衬底上沉积六方氮化硼薄膜 采用 n Si100 hBN AFM RamanXPSFT - - 、 、 、 、 。 , IR等技术研究负偏压对所沉积薄膜生长模式 结构 表面粗糙度 薄膜取向 相变等特性的影响 结果表明 , 、 、 ; 当负偏压为 时 沉积所得 薄膜表面粗糙度较低 结晶性良好 轴垂直于衬底且以层状模式生长 随 0V hBN c - , , , 着负偏压的增加 薄膜由层状模式生长转变为岛状模式生长 表面粗糙度增加 且 经亚稳相 和 hBN E-BN w - - , , 。 向 转变 使得 薄膜相系统更加混乱 不利于高质量层状 薄膜的获取 BN cBN BN hBN - - : ; ; ;