镍与锑化镓接触之介面微观与电性分析-国家奈米元件实验室.PDFVIP

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2017-06-24 发布于天津
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镍与锑化镓接触之介面微观与电性分析-国家奈米元件实验室.PDF

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镍与锑化镓接触之介面微观与电性分析-国家奈米元件实验室

014 Interfacial Characterization and Electrical Properties of Ni–GaSb Contacts (Transmission Electron Microscopy, TEM) (Energy-dispersive Spectrometry, EDS) (Nanobeam Electron Diffraction, NBD) X (Grazing-incident X-ray Diffraction GIXRD) Ni/GaSb 300350400 Ni/GaSb 350 NiSb(Ga) Ni/GaSb 400 NiSb Ni2Ga3 NiSb(Ga) Ni/GaSb (Sheet Resistance) Ni/GaSb 350 P (P-type Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistors pMOSFETs) Abstract The microstructural characterization of Ni–GaSb junctions annealed at 300 , 350 , and 400 in a N2 atmosphere was elucidated using transmission elect ron microscopy (TEM) in conjunction with energy-dispersive spectrometry (EDS), nanobeam electron diffraction (NBD), and grazing-incident X-ray diffraction (GIXRD). Only the NiSb(Ga) phase is formed at the interface of Ni/GaSb when the annealing temperature is below 350 . However, three phasesNiSb, Ni Ga , and NiSb(Ga)are formed simultaneously 2 3 at the interface between Ni/GaSb when the annealing temperature is increased to over 400, which causes a signicant increase in the sheet resistance of the Ni–GaSb alloy. These results indicate that the annealing temperatu re of