太阳能电池的基本结构.ppt

班級：奈米三甲 姓名：伍翠瑩 王彗珊 薄膜太陽能電池 前言 太陽能電池亦稱「太陽能晶片」，是一種利用太陽光直接發電的光電半導體。近年來BIPV（Building Integrated Photo Voltaic）即建築物集成太陽能電池的技術，其將薄膜電池應用到建築物的圍護結構，更可結合在帷幕牆的材料中，被認為是太陽能電池工業中增長最大的技術之一。 基本晶體結構 以單位晶胞（unit cell）為單元，週期性且重複出現相同結構． 金屬晶體結構；體心立方bcc；面心立方fcc；六方最密堆積hcp 7大晶體系統/14種晶格 太陽能電池的基本結構 一類是基材為P型半導體，N型材料為受光面；另一類基材為N型半導體，P型材料為受光面。常見矽晶太陽能電池結構採用前者，上層鍍抗反射層，下層則鍍歐姆接觸層。 薄膜生長法製備PN接面 在N型（或P型）半導體表面，通過氣相、液相等磊晶技術，生長一層具相反導電類型的P型（或N型）半導體薄膜，而形成PN接面． 薄膜太陽能電池 比較 薄膜電池　 電池厚度 耐高溫 抗輻射 生產成本 矽晶 太陽能電池 150μm以上 不佳 不佳 低 GaAs 太陽能電池 5~10μm 佳 佳 高 CIGS薄膜電池 CIS CIGS CZTS CIS材料的基本性質 CuInSe2材料具有兩種同素異形的結構：閃鋅礦（δ相）、黃銅礦（ γ相） CIS材料的基本性質 CIS材料的光吸收係數大，光子能量大於1.4eV的區域為4×105cm-1。300K時CuInSe2的物理性質如下表： CIGS材料的基本性質 CuInxGa1-xSe2（CIGS）材料，屬於黃銅礦結構。 調整Ga濃度，使能隙大小在1.02～1.68eV，以吸收更多太陽光譜。 CZTS材料的基本性質 Kesterite 晶體與Stannite 晶體之間的位能差距小於3 eV/atom，意指在結晶與長晶過程中容易共存或互相轉換的。 　 晶體型態 薄膜材料 吸收層 CIGS Chalcopyrite 晶體 CZTS Kesterite 晶體 非晶矽薄膜電池 在PN層間加入本質層I，當入射光在本質吸收層中產生電子-電洞對，形成光生電流與光生電壓。 能隙約1.75eV，吸收光譜0.05～0.7μm。 製備技術簡單、成本低。 多晶矽薄膜電池 基板便宜、矽材料少、無光衰減問題。 利用化學氣相沉積法製備摻硼的P層 通過擴散磷形成N層 結論 對於目前能源的大量消耗，必須找尋替代的能源，各國對太陽能這項領域積極發展，但實際的轉換效率仍然有限，製造的成本亦偏高，而電池的薄膜化可降低成本，對於未來薄膜太陽能電池的發展，更以提高轉換效率及成本考量為目標。 參考文獻 /energy/alternate/solar_phy03_c.html /is2003/sample/whatisit.htm# .tw/esa/b993/ch08.pdf .tw/creditonline/cfcontent/industrial/weekly/index.cfm?sn=217 .tw/web/department/cfteam/docs/solar_cell.pdf .tw/teachers/wentse/downloads/solar-cell04.ppt /technology_tfa_c.html .tw/DocView.aspx?id=10245 .tw/works/essay/2007/10/2007102422305695.pdf 歐洲 義大利 西班牙-馬德里 墨西哥 比利時 臺灣 感謝各位耐心的聆聽